[发明专利]一种提高非晶WO3 有效
| 申请号: | 202210094992.3 | 申请日: | 2022-01-26 |
| 公开(公告)号: | CN114574805B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
| 发明(设计)人: | 苏江滨;祁昊;朱秀梅;何祖明;蒋美萍 | 申请(专利权)人: | 常州大学 |
| 主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;G02F1/1524 |
| 代理公司: | 南京禹为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32272 | 代理人: | 王晓东 |
| 地址: | 213100 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 提高 wo base sub | ||
1.一种提高非晶WO3薄膜电致变色效率的方法,其特征在于:包括,
将非晶WO3薄膜在无水乙醇中充分浸泡,取出,烘干,以提高非晶WO3薄膜产品的变色效率和光学调制;
所述浸泡的时间为24~48 h。
2.如权利要求1所述提高非晶WO3薄膜电致变色效率的方法,其特征在于:所述非晶WO3薄膜由磁控溅射法制备。
3.如权利要求2所述提高非晶WO3薄膜电致变色效率的方法,其特征在于:所述磁控溅射法还包括,
选用尺寸φ3 inch×5 mm、纯度99.999%的高纯W靶为靶材,尺寸25×40×0.7 mm的ITO导电玻璃为衬底;
先抽腔室真空至5.0×10-3 Pa,然后通入流量为20 sccm、纯度为99.999%的氩气,并调节高阀使腔室气压维持在0.3~1.0 Pa,最后打开射频电源并调节功率至80~120 W,在沉积温度为25℃~550℃、衬底偏压为-100~+100 V条件下溅射沉积1.5~2 h,得到非晶WO3薄膜。
4.如权利要求3所述提高非晶WO3薄膜电致变色效率的方法,其特征在于:所述ITO玻璃衬底的电阻为3.5 Ω/□,表面形貌为三角片团簇构成的绒面化结构。
5.如权利要求1所述提高非晶WO3薄膜电致变色效率的方法,其特征在于:所述WO3薄膜为非晶态结构,厚度为80~120 nm。
6.如权利要求1所述提高非晶WO3薄膜电致变色效率的方法,其特征在于:所述无水乙醇为分析纯,含量≥99.7%。
7.如权利要求1~6任一所述提高非晶WO3薄膜电致变色效率的方法所制备得到的非晶WO3薄膜产品,其特征在于:所述非晶WO3薄膜产品的光学调制是在676.2 nm波长处着色态和褪色态的透过率之差,可提高35%~44%,变色效率大幅提升。
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