[发明专利]一种低TCR陶瓷芯片电阻及其材料和制备

说明书

本发明涉及一种低TCR陶瓷电阻材料，该陶瓷电阻材料的化学通式为(Sn_1‑xSb_xO₂)(Bi₈TiO₁₄)_y(Sb₂O₃)_w，其中0.03≤x≤0.07，0＜y≤0.2，0≤w≤0.1。本发明还涉及一种低TCR陶瓷芯片电阻及其制备方法，所述低TCR陶瓷芯片电阻包括瓷体和设于瓷体两表面的电极，所述瓷体采用所述陶瓷电阻材料。本发明所述陶瓷电阻材料的原料来源广且成本低，制得电阻的室温电阻率可调节，电阻温度系数小。

技术领域

本发明涉及电阻材料技术领域，特别是涉及一种低TCR陶瓷芯片电阻、电阻材料及其制备。

背景技术

精密电阻要求电阻的阻值误差、电阻的热稳定性(温度系数)、电阻器的分布参数(分布电容和分布电感)等项指标均达到一定标准的电阻器。精密电阻按材料分，有金属膜精密电阻、线绕精密电阻和金属箔精密电阻几类，但这些精密电阻的制造工艺要求严格，生产成本高。

普通的厚膜电阻元件和薄膜电阻元件虽然在制造工艺和成本上有优势，但往往不具备较小的电阻温度系数，在温度变化的环境中使用时难以保持稳定的电性能。

发明内容

基于此，本发明提供一种低TCR陶瓷电阻材料，其原料来源广且成本低，制得电阻的室温电阻率可调节，电阻温度系数小，该陶瓷电阻材料适合制备陶瓷电阻元件、厚膜电阻元件、薄膜电阻元件等。

本发明采取的技术方案如下：

一种低TCR陶瓷电阻材料，其化学通式为(Sn_1-xSb_xO₂)(Bi₈TiO₁₄)_y(Sb₂O₃)_w，其中0.03≤x≤0.07，0＜y≤0.2，0≤w≤0.1。

进一步，所述陶瓷电阻材料由Sn_1-xSb_xO₂粉体、Bi₈TiO₁₄粉体和含Sb元素的原料粉体按配比混合后通过烧结制成。

进一步，所述烧结的条件为：在烧结温度1200～1400℃下保温3～10小时。

本发明还提供一种低TCR陶瓷芯片电阻，包括瓷体和设于瓷体相对两面的电极，所述瓷体采用所述的陶瓷电阻材料。

进一步，所述电极为银电极。

进一步，所述陶瓷芯片电阻的尺寸大小为0.5mm×1.0mm×1.0mm。

本发明还提供所述陶瓷芯片电阻的制备方法，包括以下步骤：

(1)分别制备Sn_1-xSb_xO₂粉体、Bi₈TiO₁₄粉体和含Sb元素的原料粉体；

(2)按配比称取制得的Sn_1-xSb_xO₂粉体、Bi₈TiO₁₄粉体和含Sb元素的原料粉体，经过球磨混合和干燥后，得到混合干燥粉料；

(3)对混合干燥粉料冷等静压，制得坯体；

(4)将坯体烧结，得到陶瓷块体；

(5)对陶瓷坯体切片，得到陶瓷片；

(6)在陶瓷片上印刷电极；

(7)对印刷有电极的陶瓷片划切，得到单个的陶瓷芯片电阻。