[发明专利]一种用于钝化保护半导体材料的玻璃粉及其制备方法在审
| 申请号： | 202210073564.2 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114573236A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 孙松;李萌萌;郭立升;曹孙根;蔡梦蝶;程芹;魏宇学;柏家奇 | 申请（专利权）人： | 安徽大学 |
| 主分类号： | C03C12/00 | 分类号： | C03C12/00;C03B19/00 |
| 代理公司： | 合肥中悟知识产权代理事务所(普通合伙) 34191 | 代理人： | 张婉 |
| 地址： | 230000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 钝化 保护 半导体材料 玻璃粉 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于钝化保护半导体材料的玻璃粉，其特征在于，其组成包括以下组分：Bi2O3、B2O3、P2O5、CaO、RxOy，RxOy为TiO2、La2O3、Al2O3中的一种或以上；其中，Bi2O3、B2O3、P2O5、CaO、RxOy的摩尔百分比为：Bi2O3 45～50％、B2O3 38～42％、P2O5 8～12％、CaO 2～3％、RxOy 1～2％。
2.一种如权利要求1所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)按摩尔比称取原料磷酸氢二铵、硼酸、氧化铋、碳酸钙、RxOy混合均匀，于研钵中研磨5～30min；
2)将1)中的混合物转移至石英舟放于马弗炉中，以3℃/min的速率升至480～520℃保温2h；
3)将2)中的混合物再以5℃/min的速率升至850～900℃保温2～3h；
4)将3)中的混合物于马弗炉中280～300℃下退火12h；
5)将玻璃研磨，即得玻璃粉。
3.根据权利要求2所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，步骤1)中，于研钵中研磨5～30min。
4.根据权利要求2所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，步骤2)中，升温至480～520℃。
5.根据权利要求2所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，步骤3)中，升温至850～900℃。
6.根据权利要求2所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，步骤4)中，升温至280～300℃。
7.根据权利要求2所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，所述Bi2O3、B2O3、P2O5、CaO、RxOy的摩尔百分比为：Bi2O3 45～50％、B2O3 38～42％、P2O5 8～12％、CaO 2～3％、RxOy 1～2％。
8.根据权利要求2所述的用于钝化保护半导体材料的玻璃粉的制备方法，其特征在于，所述RxOy为TiO2、La2O3、Al2O3中的一种或以上。
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