[发明专利]一种准二维薄膜制备方法

权利要求书

1.一种准二维薄膜制备方法，其特征在于，将苯乙胺改性后的三维钙钛矿纳米晶引入到薄膜内部，来调控薄膜内部的辐射以及非辐射过程，从而提高器件的发光性能。

2.根据权利要求1所述的准二维薄膜制备方法，其特征在于，所述准二维薄膜加工步骤如下：

步骤1：把一定量的十八烯，油酸，碳酸铯放在50mL的三颈瓶中，在惰性气体氛围下加热到120℃，并且搅拌至溶液溶解，得到前驱体溶液；

步骤2：将溴化铅、油酸以及油胺加入到装有十八烯的三颈瓶中抽气，之后通入惰性气体，加热到120℃时，搅拌一段时间得到澄清透明的溶液；

步骤3：温度保持在120℃下，取一定量的苯乙基溴化胺的乙醇溶液滴加到步骤2的透明溶液里，然后继续加热30分钟；

步骤4：升温至160℃下，取一定量的步骤3中的前驱体注入到步骤2中的透明溶液里；

步骤5：在160℃下保持5秒钟，并且快速用冰水浴冷却到室温，接着离心分散到非极性溶剂中，这样即可得到PEA修饰后的CsPbBr₃钙钛矿纳米晶，随后取一定量的纳米晶分散到氯苯溶剂中，作为后期制备钙钛矿薄膜的反溶剂；

步骤6：将ITO基底，分别用去离子水、乙醇以及丙酮反复清洗；

步骤7：将PEDOT:PSS溶液旋转涂布的方式沉积到步骤6的基底表面，随后运用150℃进行后期退火；

步骤8：将适量的碘化铅，苯乙基溴化胺，溴化甲醚和甲基氯化胺溶解到1毫升的DMSO溶液中：

步骤9：将适量的步骤8中的钙钛矿前体溶液，滴加到步骤7的基底表面，然后运用旋转涂布的方式进行制备薄膜，随后在特定的时间下，将100微升步骤5中的反溶剂，滴加到钙钛矿薄膜表面，从而使薄膜快速结晶，随后将上述薄膜放到加热台上进行后期的退火结晶；

步骤10：将步骤9获得的薄膜放到蒸镀仪中，从而蒸镀电子传输层和金属铝电极。

3.根据权利要求2所述的准二维薄膜制备方法，其特征在于，步骤6接着采用紫外臭氧机清洗20分钟。

4.根据权利要求1所述的准二维薄膜制备方法，其特征在于，将适量的已溶解好的中的钙钛矿前体溶液，滴加到制备好的基底表面，然后运用旋转涂布的方式进行制备薄膜，随后在特定的时间下，将100微升氯苯反溶剂，滴加到钙钛矿薄膜表面，随后将上述薄膜放到加热台上进行后期的退火结晶。

5.根据权利要求4所述的准二维薄膜制备方法，其特征在于，所述氯苯反溶剂换成掺入1mg/mL PEA-CsPbBr₃的氯苯反溶剂。

6.根据权利要求4所述的准二维薄膜制备方法，其特征在于，所述氯苯反溶剂换成掺入3mg/mL PEA-CsPbBr₃的氯苯反溶剂。

7.根据权利要求4所述的准二维薄膜制备方法，其特征在于，所述氯苯反溶剂换成掺入5mg/mL PEA-CsPbBr₃的氯苯反溶剂。