[发明专利]反熔丝电路以感测反熔丝

说明书

一种反熔丝电路包含电流产生器以及反熔丝感测单元。电流产生器具有至少一复制电子元件。反熔丝感测单元电性连接电流产生器，反熔丝感测单元具有至少一电子元件。反熔丝感测单元的至少一电子元件的电子元件规格相同于电流产生器的至少一复制电子元件的电子元件规格。电流产生器供应电流给反熔丝感测单元以感测反熔丝。借由本发明的技术方案，反熔丝电路可以提高感测反熔丝的准确度。

技术领域

本发明是有关于一种装置，且特别是有关于一种装置以感测动态随机存取存储器中的反熔丝。

背景技术

目前，动态随机存取存储器(DRAM)采用反熔丝技术。反熔丝是一种电气装置，其特性与熔丝相反。在DRAM中，可以对反熔丝进行编程以决定冗余行和冗余列。以反熔丝为例，熔断的反熔丝电阻低，未熔断的反熔丝电阻高。

如果反熔丝的高阻或低阻判断错误，就会判断出错误的冗余行和列，从而对DRAM的良率产生不利影响。

发明内容

本发明提出一种反熔丝电路，改善先前技术的问题。

在本发明的一实施例中，本发明所提出的反熔丝电路包含电流产生器以及反熔丝感测单元。电流产生器具有至少一复制电子元件。反熔丝感测单元电性连接电流产生器，反熔丝感测单元具有至少一电子元件。反熔丝感测单元的至少一电子元件的电子元件规格相同于电流产生器的至少一复制电子元件的电子元件规格。电流产生器供应电流给反熔丝感测单元以感测反熔丝。

在本发明的一实施例中，反熔丝感测单元包含反相器，反相器包含第一P型金属氧化半导体(PMOS)晶体管以及第一N型金属氧化半导体(NMOS)晶体管，电流产生器包含分压器，分压器包含串联的第一复制P型金属氧化半导体晶体管、第一电阻器、第二电阻器以及第一复制N型金属氧化半导体晶体管，反熔丝感测单元的至少一电子元件包含反相器的第一P型金属氧化半导体晶体管以及第一N型金属氧化半导体晶体管，电流产生器的至少一复制电子元件包含分压器的第一复制P型金属氧化半导体晶体管以及第一复制N型金属氧化半导体晶体管，第一复制P型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格相同于第一P型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格，第一复制N型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格相同于第一N型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格。

在本发明的一实施例中，第一P型金属氧化半导体晶体管的源极电性耦合于工作电压，第一N型金属氧化半导体晶体管的源极电性耦合于接地电压，第一N型金属氧化半导体晶体管的栅极的电性连接第一P型金属氧化半导体晶体管的栅极，第一N型金属氧化半导体晶体管的漏极电性连接第一P型金属氧化半导体晶体管的漏极，第一复制P型金属氧化半导体晶体管的漏极直接连接第一复制P型金属氧化半导体晶体管的栅极，第一复制N型金属氧化半导体晶体管的漏极直接连接第一复制N型金属氧化半导体晶体管的栅极。

在本发明的一实施例中，反熔丝感测单元还包含第二P型金属氧化半导体晶体管。第二P型金属氧化半导体晶体管具有栅极、源极以及漏极，第二P型金属氧化半导体晶体管的源极电性耦合于工作电压，第二P型金属氧化半导体晶体管的漏极电性连接第一P型金属氧化半导体晶体管的栅极以及第一N型金属氧化半导体晶体管的栅极。反熔丝的一端电性连接第二P型金属氧化半导体晶体管的漏极，反熔丝的另一端电性耦合于接地电压。

在本发明的一实施例中，电流产生器还包含正比于绝对温度(proportional toabsolute temperature)电流源以及互补于绝对温度(complementary to absolutetemperature)电阻器。正比于绝对温度电流源电性耦合于接地电压，互补于绝对温度电阻器电性耦合于接地电压，正比于绝对温度电流源以及互补于绝对温度电阻器并联以模拟反熔丝的电气特性。