[发明专利]反熔丝电路以感测反熔丝

权利要求书

1.一种反熔丝电路，其特征在于，包含：

电流产生器，具有至少一复制电子元件；以及

反熔丝感测单元，电性连接该电流产生器，该反熔丝感测单元具有至少一电子元件，

其中该反熔丝感测单元的该至少一电子元件的电子元件规格相同于该电流产生器的该至少一复制电子元件的电子元件规格，该电流产生器供应电流给该反熔丝感测单元以感测反熔丝。

2.根据权利要求1所述的反熔丝电路，其特征在于，该反熔丝感测单元包含反相器，该反相器包含第一P型金属氧化半导体(PMOS)晶体管以及第一N型金属氧化半导体(NMOS)晶体管，该电流产生器包含分压器，该分压器包含串联的第一复制P型金属氧化半导体晶体管、第一电阻器、第二电阻器以及第一复制N型金属氧化半导体晶体管，该反熔丝感测单元的该至少一电子元件包含该反相器的该第一P型金属氧化半导体晶体管以及该第一N型金属氧化半导体晶体管，该电流产生器的该至少一复制电子元件包含该分压器的该第一复制P型金属氧化半导体晶体管以及该第一复制N型金属氧化半导体晶体管，该第一复制P型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格相同于该第一P型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格，该第一复制N型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格相同于该第一N型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格。

3.根据权利要求2所述的反熔丝电路，其特征在于，该第一P型金属氧化半导体晶体管的源极电性耦合于工作电压，该第一N型金属氧化半导体晶体管的源极电性耦合于接地电压，该第一N型金属氧化半导体晶体管的栅极的电性连接该第一P型金属氧化半导体晶体管的栅极，该第一N型金属氧化半导体晶体管的漏极电性连接该第一P型金属氧化半导体晶体管的漏极，该第一复制P型金属氧化半导体晶体管的漏极直接连接该第一复制P型金属氧化半导体晶体管的栅极，该第一复制N型金属氧化半导体晶体管的漏极直接连接该第一复制N型金属氧化半导体晶体管的栅极。

4.根据权利要求2所述的反熔丝电路，其特征在于，该反熔丝感测单元还包含：

第二P型金属氧化半导体晶体管，具有栅极、源极以及漏极，该第二P型金属氧化半导体晶体管的该源极电性耦合于工作电压，该第二P型金属氧化半导体晶体管的该漏极电性连接该第一P型金属氧化半导体晶体管的该栅极以及该第一N型金属氧化半导体晶体管的该栅极；

其中该反熔丝的一端电性连接该第二P型金属氧化半导体晶体管的该漏极，该反熔丝的另一端电性耦合于接地电压。

5.根据权利要求4所述的反熔丝电路，其特征在于，该电流产生器还包含：

正比于绝对温度(proportional to absolute temperature)电流源，电性耦合于该接地电压；以及

互补于绝对温度(complementary to absolute temperature)电阻器，电性耦合于该接地电压，其中该正比于绝对温度电流源以及该互补于绝对温度电阻器并联以模拟该反熔丝的电气特性。

6.根据权利要求5所述的反熔丝电路，其特征在于，该电流产生器还包含：

运算放大器，具有非反相输入端、反相输入端以及输出端，该非反相输入端电性连接于该分压器的该第一电阻器与该第二电阻器之间，该反相输入端电性连接该正比于绝对温度电流源以及该互补于绝对温度电阻器；

第三P型金属氧化半导体晶体管，具有栅极、源极以及漏极，该第三P型金属氧化半导体晶体管的该栅极电性连接该运算放大器的该输出端，该第三P型金属氧化半导体晶体管的该源极电性耦合于该工作电压，该第三P型金属氧化半导体晶体管的该漏极电性连接该运算放大器的该反相输入端；以及

第二复制P型金属氧化半导体晶体管，具有栅极、源极以及漏极，该第二复制P型金属氧化半导体晶体管的该栅极电性连接该运算放大器的该输出端，该第二复制P型金属氧化半导体晶体管的该源极电性耦合于该工作电压，该第二复制P型金属氧化半导体晶体管的该漏极电性连接该反熔丝感测单元，其中该反熔丝感测单元的该至少一电子元件还包含该第二P型金属氧化半导体晶体管，该电流产生器的该至少一复制电子元件还包含该第二复制P型金属氧化半导体晶体管，该第二复制P型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格相同于该第二P型金属氧化半导体晶体管的电子元件规格。