[发明专利]一种低电阻率低温太阳能银浆及其制备方法

说明书

本发明公开了一种低电阻率低温太阳能银浆及其制备方法。本发明所述银浆的原料包括如下组分：银粉87～93％，树脂2～5％，稀释剂1～2％，固化剂0.5～2％，触变剂0.01～1％，催化剂0.01～1％，有机溶剂2～5％。本发明通过不同形貌、不同尺寸规格、不同振实密度的银粉的组合，配合其他助剂，将银粉导电性能达到最优化，通过空间的紧密堆积，提高了银粉颗粒之间的接触点，减少银粉空隙，降低浆料电阻率和本征电阻。本发明制备的银浆具有良好的稳定性，具有低体积电阻率优异的接触电阻性能。

技术领域

本发明涉及导电银浆制备技术领域，尤其涉及一种低电阻率低温太阳能银浆及其制备方法。

背景技术

随着石油、天然气等不可再生资源的枯竭，风能、潮汐能、太阳能等新能源越来越被重视。太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的新能源，且建立太阳能发电站的时间和成本相对传统的发电站成本更低。因此，在长远的能源战略中，光伏发电是解决能源危机的理想方案。

近几年来，太阳能电池技术进入快速的发展阶段，形成多种类型技术产品，比如晶硅太阳能电池、无机半导体薄膜电池、染料敏化太阳能电池、钙钛矿太阳能电池、有机聚合物太阳能电池等，目前传统晶硅仍然作为主流，无机半导体薄膜电池存在生产成本高和转化率低等问题，只占有少部分市场，染料敏化太阳能电池、钙钛矿太阳能电池、有机聚合物太阳能电池这几款目前还在实验室中。HIT电池，俗称异质结电池，该技术结合了晶体硅电池与薄膜电池的优势，是提高硅基太阳能电池转化率的热门方向。该技术通过晶硅衬底前后表面进行钝化处理，有效地阻止光产生的载流子的复合，并提高载流子的寿命，从而提高转化率。由于这种结构的设计导致HIT电池生产工艺温度在250℃以下，那么在其表面所形成的金属化网格的银浆就必须实现低温固化，所以银浆是其重要的关键原料。通常HIT银浆的转化率影响因素包括电阻率、搭接阻抗、下网量等，目前主流的HIT银浆的电阻率为5*10^-6Ω·cm，而作为转化率重要影响部分，制备＜5*10^-6Ω·cm电阻率有助于提高HIT银浆的转化率。因此，制备低电阻率的HIT银浆是具有重要意义。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种低电阻率低温太阳能银浆及其制备方法。本发明制备的银浆具有良好的稳定性，细线下网良好，具有低体积电阻率优异的接触电阻性能。

本发明的技术方案如下：

一种低电阻率低温太阳能银浆，以质量百分比计，所述银浆的原料包括如下组分：银粉87～93％，树脂2～5％，稀释剂1～2％，固化剂0.5～2％，触变剂0.01～1％，催化剂0.01～1％，有机溶剂2～5％。

进一步地，所述银粉为片状粉、球状粉；所述片状粉与球状粉的质量比为0.01～0.3：1，优选0.02～0.1。

进一步地，所述片状粉的D50为2～8μm，振实密度为4～6g/mL。

进一步地，所述球状粉为球状粉Ⅰ或球状粉Ⅱ；所述球状粉Ⅰ，以重量百分比计，包括如下粒径的球状粉：5～15％D50为0.05～0.8μm，振实密度为3～5g/mL；65～80％D50为2～4μm，振实密度为5～8g/mL；14～30％D50为1～1.8μm，振实密度为4～6g/mL。

进一步地，所述球状粉Ⅱ的粒径分布满足：D50为0.8～1.5μm，振实密度为4～7g/mL，D10为0.05～0.5μm，D100为2～5μm，优选D10为0.1～0.5μm，D100为2.5～3.5μm。