[发明专利]可用于非侵血糖检测的集成芯片及其制作方法及穿戴设备

权利要求书

1.一种制作方法，用于制备可用于非侵血糖检测的集成芯片，其特征在于，所述制作方法包括：

提供半导体衬底，所半导体衬底表面具有第一绝缘层以及位于所述第一绝缘层背离所述半导体衬底一侧表面的第一膜层；

图形化所述第一膜层，形成第一功能层，所述第一功能层包括：光调制组件、第一波导以及光探测组件；

在所述第一膜层背离所述半导衬底的一侧形成第二功能层，所述第二功能层包括：第二波导；

形成与光传输组件耦合的光源组件，所述光传输组件包括所述第一波导以及所述第二波导；

其中，所述光调制组件以及所述光探测组件均包括经过掺杂的有源结构；所述光源组件包括：多个发光波段不同的光源芯片；所述光探测组件包括：多个用于探测不同波段的探测器；所述半导体衬底具有用于出射检测光以及采集被反射检测光的出光口结构。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一功能层的方法包括：

在所述第一膜层背离所述半导体衬底的一侧表面依次形成第二绝缘层和第三绝缘层；

图形化所述第二绝缘层和所述第三绝缘层；

基于图形化的所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，对所述第一膜层进行刻蚀，形成所述第一功能层；其中，所述第一功能层包括多个刻蚀深度不同的波导结构，以形成所述第一波导、所述光调制组件以及所述光探测组件；

在所述第一绝缘层背离所述半导体衬底的一侧形成平坦化的第四绝缘层，所述第四绝缘层覆盖所述第一功能层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述光探测组件包括MOS电容型光电调制器；

在形成所述第二功能层前，还包括：

去除所述第三绝缘层，露出所述第二绝缘层；

对所述MOS电容型光电调制器的有源结构进行掺杂。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一功能层背离所述半导体衬底一侧的表面具有第二绝缘层；

形成所述第二功能层的方法包括：

在所述第二绝缘层背离所述第一功能层的一侧表面形成图形化的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层包括：窗口牺牲层；

在所述第一多晶硅层背离所述第一功能层的一侧依次形成第五绝缘层和第二膜层；

图形化所述第二膜层，形成所述第二功能层；

其中，所述窗口牺牲层用于形成所述第一功能层中所述有源结构的离子注入窗口。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述光探测组件包括MOS电容型光电调制器；

所述第一多晶硅层还包括所述MOS电容型光电调制器的栅极。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一功能层与所述第二功能层之间具有图形化的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层包括：窗口牺牲层；

形成所述有源结构的方法包括：

在所述窗口牺牲层背离所述第一功能层的绝缘层中形成离子注入窗口，所述离子注入窗口露出所述窗口牺牲层；

基于所述离子注入窗口去除所述窗口牺牲层；

去除所述窗口牺牲层后，基于所述离子注入窗口，进行离子注入，以对所述离子注入窗口下方的所述有源结构进行掺杂。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一功能层与所述第二功能层之间具有图形化的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层包括：第一耦合牺牲层；所述第二功能层背离所述第一功能层的一侧具有第二耦合牺牲层；所述第二耦合牺牲层背离所述第二功能层的一侧具有顶部绝缘层；

所述光源组件与所述传输组件耦合的方法包括：

基于所述第一耦合牺牲层形成第一沟槽，去除所述第一耦合牺牲层，所述第一沟槽位于所述第一波导上方，用于固定第一光源芯片；

基于所述第二耦合牺牲层形成第二沟槽，去除所述第二耦合牺牲层，所述第二沟槽位于所述第二波导上方，用于固定所述第二光源芯片；

其中，所述第一光源芯片与所述第二光源芯片的发光波段不同。