[发明专利]一种铜基量子点/纳米晶复合材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种WLED器件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）按3 g:15 mL的质量体积比将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶于氯苯中，置于50℃下搅拌，获得聚甲基丙烯酸甲酯氯苯溶液；

（2）将9*12*0.7 mm的玻璃基片置于掺有洗洁精的溶液中超声清洗10 min，再置于去离子水中超声清洗10 min，然后置于乙醇中清洗10 min，清洗完后60℃烘干10 min，最后放入紫外臭氧清洗仪将表面的有机物进一步清洗，使得刮涂的膜层更加贴服，紫外臭氧处理过程需要15 min，处理后静置一段时间等待玻璃基片温度降至室温；

（3）将Cs₃Cu₂Cl₅纳米晶和Cs₃Cu₂I₅纳米晶按照0.3:0.2摩尔质量比混合分散于聚甲基丙烯酸甲酯/氯苯溶液中，CuInS₂量子点按照0.3摩尔质量单独分散于聚甲基丙烯酸甲酯/氯苯溶液中，先在步骤（2）中获得的玻璃基片上刮涂两层Cs₃Cu₂Cl₅纳米晶和Cs₃Cu₂I₅纳米晶混合物，常温下晾干5~10 min，再刮涂一层CuInS₂量子点，50℃下烘干5 min，烘干后倒放于紫外芯片上，使用UV-LED芯片发射出的紫外光，对RGB三原色量子点/纳米晶进行激发，再将RGB三原色进行混合，进而获得白光；

所述步骤（3）中CuInS₂量子点的制备方法，具体包括如下步骤：

A1、将76 mL的CuI溶解于4 mL十二硫醇中，在60℃条件下水浴搅拌加热，直至得到无色透明的前驱体溶液；

A2、将29 mL的In(OAc)₃溶解于十八烯中，在氩气气氛下除气20 min，然后将溶液温度升至210℃时，注入2 mL步骤A1中的前驱体溶液，保温1h后放入冰水中冷却，经离心分散处理后得到CuInS₂量子点；

所述步骤（3）中Cs₃Cu₂Cl₅纳米晶和Cs₃Cu₂I₅纳米晶的制备方法，具体包括如下步骤：

B1、在三口烧瓶中，将3584 mg的碳酸铯Cs₂CO₃溶解于十八烯中，再加入2 mL的油酸，在氩气气氛下除气20 min，再加热至100℃保温2 h，使碳酸铯和油酸反应生成油酸铯（Cs-OA）前驱体溶液，随后升温至200℃；

B2、另一个三口烧瓶中，用氯化亚铜(CuCl)作为铜源，将153 mg的CuCl溶解于10 mL十八烯(ODE)中，在氩气气氛下除气20 min，再加热至100℃保温2h后加入1 mL油酸和1 mL油胺，使CuCl固体溶解得到含有Cu⁺和Cl^-两种离子的溶液；

B3、将5 mL步骤B2中含有Cu⁺和Cl^-两种离子的溶液注入到Cs-OA前驱体溶液中，搅拌反应10 s后立即放入冰水中冷却，经离心分散处理后得到Cs₃Cu₂Cl₅纳米晶；

将步骤B2中的CuCl换成CuI，采用相同的方法可以得到Cs₃Cu₂I₅纳米晶。

2.一种WLED器件，其特征在于：采用权利要求1所述的制备方法制备而成。