[发明专利]复用电路的TFT结构、显示面板和显示装置在审
申请号: | 202210055366.3 | 申请日: | 2022-01-18 |
公开(公告)号: | CN114361189A | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
发明(设计)人: | 刘倩 | 申请(专利权)人: | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 510700 广东省广州市黄埔区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用电 tft 结构 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种复用电路的TFT结构,其特征在于,所述复用电路的TFT结构包括:
第一有源层;
第一金属层,所述第一金属层与所述第一有源层沿背光光线的方向依次设置;所述第一金属层上设有第一背光通道,所述背光光线穿过所述第一背光通道照射在所述第一有源层上。
2.根据权利要求1所述的复用电路的TFT结构,其特征在于,所述第一金属层包括第一金属件和第二金属件,所述第一金属件和所述第二金属件相互平行,所述第一背光通道设于所述第一金属件和所述第二金属件之间。
3.根据权利要求2所述的复用电路的TFT结构,其特征在于,所述第一金属层还包括第一连接件,所述第一连接件分别与所述第一金属件和所述第二金属件连接。
4.根据权利要求2所述的复用电路的TFT结构,其特征在于,所述第一金属层上还设有第二背光通道,所述背光光线穿过所述第二背光通道照射在所述第一有源层上。
5.根据权利要求4所述的复用电路的TFT结构,其特征在于,所述第一金属层还包括第三金属件,所述第三金属件和所述第二金属件相互平行,所述第二背光通道设于所述第二金属件和所述第三金属件之间。
6.根据权利要求1至5任一项所述的复用电路的TFT结构,其特征在于,所述复用电路的TFT结构还包括第二金属层,所述第一金属层、所述第一有源层和所述第二金属层沿背光光线的方向依次设置。
7.根据权利要求6所述的复用电路的TFT结构,其特征在于,所述复用电路与所述第二金属层连接。
8.根据权利要求7所述的复用电路的TFT结构,其特征在于,所述复用电路包括:
第一开关,控制第一像素与IC芯片的第一输出信号之间的电路开闭;
第二开关,控制所述第一像素与所述第一输出信号之间的电路开闭;
第一控制单元,控制所述第一开关开启或关闭;
第二控制单元,控制所述第二开关开启或关闭;
其中,所述第一控制单元输出的控制信号为高电位信号时,所述第二控制单元输出的控制信号为低电位信号;所述第一控制单元输出的控制信号为低电位信号时,所述第二控制单元输出的控制信号为高电位信号。
9.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至8任一项所述的复用电路的TFT结构。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的