[发明专利]分配泵浦、分配系统及其操作方法

说明书

一种分配泵浦、分配系统及其操作方法，分配系统包含容纳分配材料的分配材料供应源与连接分配材料供应源的下游的分配泵浦。分配泵浦包含由第一导电材料制成的本体、一或多个第一电接点设于分配泵浦的本体上、以及一或多个第一连接线耦合在一或多个第一电接点的每一个与地之间。分配系统亦包含与分配泵浦的下游连接的分配喷嘴，分配喷嘴包含由第二导电材料制成的管子、一或多个第二电接点设于管子的外侧面、以及一或多个第二连接线耦合在一或多个第二电接点的每一个与地之间。

技术领域

本揭露的实施方式是有关于一种分配泵浦、分配系统及其操作方法。

背景技术

于集成电路(IC)设计中期间，在基材，例如晶圆上产生了一些用于集成电路处理的不同步骤的集成电路的图案。这些图案可通过在基材的光阻层上投影，例如成像，光罩的布局图案来产生。微影制程将光罩的布局图案转移至基材的光阻层，以使得蚀刻、植入、或其他步骤仅能作用在基材的预定区域。显影通过投影转移的布局图案，以在基材上产生阻剂图案。使用负型阻剂图案以作为基材的光阻层时，使用负型显影剂以显影所投射的图案，并在基材上产生阻剂图案。负型显影剂由包含显影剂分配泵浦和分配喷嘴的显影剂分配系统所布置。一般而言，负型显影剂会在显影剂分配泵浦与分配喷嘴内聚集静电电荷，由于高电阻率的缘故，静电电荷可能于显影剂分配泵浦和分配喷嘴中积聚成高电压并导致大量的放电。显影剂分配泵浦和分配喷嘴内的大量放电可能造成损坏并从显影剂分配泵浦和分配喷嘴中脱离出微粒。这些微粒可能会沉积在基材上，并在随后的基材处理步骤中造成缺陷。因此，期望限制负型显影剂的积聚电压，以限制显影剂分配泵浦和分配喷嘴内部的放电，从而避免显影剂分配泵浦和分配喷嘴的损坏。

发明内容

依照本揭露的一些实施方式，分配系统包含分配材料供应源，以容纳分配材料。此分配系统亦包含分配泵浦，其与分配材料供应源的下游连接。此分配泵浦包含本体，此本体包含第一导电材料、一或多个第一电接点设置于分配泵浦的本体上、一或多个第一连接线耦合在一或多个第一电接点的每一个与地之间。分配系统还包含分配喷嘴，其与分配泵浦的下游连接。此喷嘴包含管子，其包含第二导电材料、一或多个第二电接点，其设于管子的外表面、以及一或多个第二连接线，其耦合在一或多个第二电接点的每一个与地之间。

依照本揭露的一些实施方式，分配泵浦包含由导电材料组成的本体并具有输入端口和输出端口。分配材料自输入端口进入本体内部的外壳，并透过输出端口离开外壳。分配泵浦亦包含一或多个电接点设于本体的外表面上。分配泵浦还包含一或多个连接线耦合在一或多个电接点的每一个与地之间。电接点将产生于本体内部的静电电荷透过连接线传导至地。

依照本揭露的一些实施方式，操作分配系统的方法包含将分配材料从分配系统的分配材料供应源抽取至分配系统的分配泵浦。此方法亦包含将分配泵浦的导电本体的外壳内的分配材料导引至分配喷嘴。此方法还包含将产生于导电本体内的静电电荷导引至地。透过导电本体与耦合在导电本体的外表面与地之间的一或多个连接线导引静电电荷。

附图说明

从以下详细描述及附随的图，能最佳地了解本揭露的内容。要强调的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘制并只用以图示为目的。事实上，为了阐明讨论的内容，各特征的尺寸均可任意地增加或缩减。

图1是绘示在半导体基材上产生阻剂图案的制程流程；

图2A与图2B是绘示依照本揭露中的一些实施方式的用以在基材上分配分配材料与检验基材的上表面的分配系统；

图3A、图3B、图3C、图3D、与图3E是绘示基材的上表面的微粒；

图4A与图4B是绘示依照本揭露的一些实施方式的分配泵浦；

图5A与图5B是绘示依照本揭露的一些实施方式的分配泵浦的分配喷嘴；

图6是绘示依照本揭露的一些实施方式的用以操作分配系统和在基材上产生阻剂图案的控制系统；