[发明专利]垂直场效应晶体管器件和形成其的方法

权利要求书

1.一种垂直场效应晶体管VFET器件，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的至少一个单鳍VFET，所述至少一个单鳍VFET中的每个包括鳍结构和围绕所述鳍结构的栅极结构；

形成在同一衬底上的至少一个多鳍VFET，所述至少一个多鳍VFET中的每个包括多个鳍结构和围绕所述多个鳍结构的连接栅极结构；以及

隔离结构，在单鳍VFET和相邻的多鳍VFET之间以将所述单鳍VFET的所述栅极结构和所述相邻的多鳍VFET的所述连接栅极结构电断开，

其中所述连接栅极结构形成在每个多鳍VFET的相邻的两个鳍结构之间的空间中。

2.根据权利要求1所述的VFET器件，其中所述至少一个多鳍VFET包括多个多鳍VFET，以及

其中所述隔离结构还形成在两个相邻的多鳍VFET之间，以将所述两个相邻的多鳍VFET的所述连接栅极结构彼此电断开。

3.根据权利要求1所述的VFET器件，其中所述至少一个多鳍VFET包括多个多鳍VFET，以及

其中在每个多鳍VFET的相邻的两个鳍结构之间没有形成隔离结构以将围绕所述相邻的两个鳍结构的所述连接栅极结构电断开。

4.根据权利要求3所述的VFET器件，其中所述VFET器件形成在单个集成电路芯片中。

5.根据权利要求3所述的VFET器件，其中所述隔离结构还形成在两个相邻的单鳍VFET之间以将所述两个相邻的单鳍VFET的所述栅极结构彼此电断开。

6.根据权利要求3所述的VFET器件，其中所述多鳍VFET的每个鳍结构的水平宽度小于所述单鳍VFET的所述鳍结构的水平宽度。

7.根据权利要求1所述的VFET器件，其中底部源极/漏极区和顶部源极/漏极区形成在所述多鳍VFET的每个所述鳍结构之下和之上，以及

其中所述底部源极/漏极区和所述顶部源极/漏极区中的至少一个是跨每个多鳍VFET的所述多个鳍结构的公共源极/漏极区。

8.根据权利要求1所述的VFET器件，其中所述连接栅极结构通过经由所述VFET器件的前道工序中的栅极连接图案被连接而围绕每个多鳍VFET的所述多个鳍结构。

9.一种垂直场效应晶体管VFET器件，包括：

衬底；

多个单鳍VFET，在所述衬底上包括各自的第一鳍结构；以及

多个多鳍VFET，每个多鳍VFET在所述衬底上包括多个第二鳍结构，

其中所述第二鳍结构的鳍节距小于所述第一鳍结构的鳍节距。

10.根据权利要求9所述的VFET器件，其中所述单鳍VFET和所述多鳍VFET形成在单个集成电路芯片上。

11.根据权利要求10所述的VFET器件，其中每个多鳍VFET的所述多个第二鳍结构被连接栅极结构围绕，

其中所述连接栅极结构形成在每个多鳍VFET的所述多个第二鳍结构之间的空间中，以及

其中在每个多鳍VFET的相邻的两个第二鳍结构之间没有形成隔离结构以将围绕所述相邻的两个第二鳍结构的连接栅极结构电断开。

12.根据权利要求11所述的VFET器件，其中所述隔离结构形成在所述单鳍VFET之间以将所述单鳍VFET彼此电断开，以及

其中所述隔离结构形成在所述多鳍VFET之间以将所述多鳍VFET彼此断开。

13.根据权利要求11所述的VFET器件，其中每个所述第二鳍结构的水平宽度小于每个所述第一鳍结构的水平宽度。