[发明专利]雪花晶体颗粒及其制备方法和定位晶花抛釉砖的制备方法在审
申请号: | 202210048534.6 | 申请日: | 2022-01-17 |
公开(公告)号: | CN114507014A | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 梁桐灿;曾凡平;丁英美;梁耀龙;宋树刚;冯勇;刘海光;蔡三良;秦入强;余水林;刘鑫炉 | 申请(专利权)人: | 广东宏陶陶瓷有限公司;广东宏威陶瓷实业有限公司;广东宏宇新型材料有限公司;广东宏海陶瓷实业发展有限公司 |
主分类号: | C03C8/06 | 分类号: | C03C8/06;C03C8/00;C04B41/89;C04B41/86;C04B33/04;C04B33/13 |
代理公司: | 广州名扬高玥专利代理事务所(普通合伙) 44738 | 代理人: | 赵丽 |
地址: | 528000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 雪花 晶体 颗粒 及其 制备 方法 定位 晶花抛釉砖 | ||
雪花晶体颗粒及其制备方法和定位晶花抛釉砖的制备方法,涉及建筑陶瓷技术领域;本发明的一种雪花晶体颗粒,原料包括以下质量份计的组分:钠长石2‑10份,石英20‑40份,氧化锌35‑45份,碳酸锂7‑20份,萤石5‑10份,碳酸钡0‑5份,二氧化钛2‑8份,烧滑石1‑5份。本发明通过选择合理雪花晶体颗粒的原料的配比,同时优化熔融温度、保温时间等制备工艺参数,得到高温粘度小,能在烧成时间短、烧成温度低的条件下生成漂亮的雪花状晶体的雪花晶体颗粒;同时研发出适合晶体析出的坯体和底釉配方,同时严格控制烧成温度,得到具有完整、细致、富有立体感的雪花状晶体的定位晶花抛釉砖。
技术领域
本发明涉及建筑陶瓷技术领域,具体涉及雪花晶体颗粒及其制备方法和定位晶花抛釉砖的制备方法。
背景技术
抛釉砖的砖面光滑亮洁,图案丰富,色彩厚重或绚丽,同时坚硬、耐磨、适合室内外大面积铺贴,因此深受消费者的喜爱。
目前,抛釉砖虽然具有丰富的图案,但是还没有应用能够结出雪花状晶体的抛釉砖,其主要原因是抛釉砖的制备工艺中为了提高产量,降低生产成本,采用辊道窑烧成,烧成时间短、烧成温度低,在这种条件下不能生成漂亮的雪花状晶体。
申请号为CN103497006A,名称为一种带有冰裂状的抛晶砖及其制造方法,采用冰花水晶制备抛晶砖,冰花水晶化学成分:三氧化硅79%-85%;三氧化铝7%-9%;氧化镁0.1%-0.7%;氧化钙1.5%-3%;三氧化钛0.01%-0.1%;氧化钾0.1%-1%;氧化钠5%-7%;三氧化二铁0%-0.2%,其制备的抛晶砖具有冰裂状,具有富有立体感,但是未能使冰花水晶的晶体充分析出,生成漂亮的雪花状晶体。
发明内容
为了克服现有技术的不足,本发明的目的之一在于提供一种雪花晶体颗粒,容易析出雪花状晶体,晶体完整细致,富有立体感。
本发明的目的之二在于提供上述雪花晶体颗粒的制备方法,制备方法简单,生产成本低,成品率高。
本发明的目的之三在于提供一种定位晶花抛釉砖的制备方法,制备具有雪花状晶体的抛釉砖,制备工艺简单,可批量生产。
本发明的目的之一采用如下技术方案实现:
一种雪花晶体颗粒,原料包括以下质量份计的组分:钠长石2-10份,石英20-40份,氧化锌35-45份,碳酸锂7-20份,萤石5-10份,碳酸钡0-5份,二氧化钛2-8份,烧滑石1-5份。
进一步地,所述雪花晶体颗粒的化学成分包括:SiO2 30-60%,Al2O3 0-2%,K2O0-2%,Na2O 0-2%,CaO 3-12%,MgO 0-1%,BaO 0-2%,ZnO 30-60%,F 1-7%,Li2O 5-15%,TiO2 1-9%。
本发明的目的之二采用如下技术方案实现:
一种雪花晶体颗粒的制备方法,包括以下步骤:将配方量的雪花晶体颗粒的原料混合均匀,熔融并保温后形成晶体熔块,熔融温度为1460-1470℃,保温时间为25-45min,然后将晶体熔块进行水淬,烘干,破碎,除铁,过筛,控制粒度在30-60目,得到雪花晶体颗粒。
本发明的目的之三采用如下技术方案实现:
一种定位晶花抛釉砖的制备方法,应用所述的雪花晶体颗粒,包括以下步骤:
S1,取坯体粉料,压制成型,得到瓷质砖生坯,备用;
S2,在所述瓷质砖生坯上施加底釉后,喷墨印刷,得到印刷砖坯;
S3,在所述印刷砖坯上施加所述雪花晶体颗粒,然后喷淋透明干粒,得到釉面砖坯;
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