[发明专利]一种用于峰值电流模控制Buck变换器的过零检测电路有效

专利信息
申请号: 202210048132.6 申请日: 2022-01-17
公开(公告)号: CN114441842B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 明鑫;邹锐恒;邝建军;熊进;王卓;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: G01R19/175 分类号: G01R19/175;H02M1/088;H02M3/158
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 孙一峰
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 峰值 电流 控制 buck 变换器 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种用于峰值电流模控制Buck变换器的过零检测电路,所述峰值电流模控制Buck变换器包括上功率管和下功率管,将上功率管和下功率管的连接点定义为开关节点;

所述过零检测电路包括采样模块、动态偏置模块和比较器模块;

所述采样模块用于在Buck变换器的上功率管关闭、下功率管打开时,采样Buck变换器的开关节点电压,经过与基准分压后,接入比较器模块的负输入端,Buck变换器信号的功率地接入比较器模块的正输入端;所述比较器模块用于比较Buck变换器的功率地和Buck变换器开关节点的信息并转换为高低电平来控制Buck变换器的下功率管是否关断,即比较器模块输出过零检测信号;所述动态偏置模块为比较器模块动态的提供偏置电流,在Buck变换器上功率管关闭,下功率管打开的时候,动态偏置模块产生偏置电流,在Buck变换器上功率管关闭,下功率管打开的时候,动态偏置模块不会为比较器模块提供偏置电流;

所述采样模块包括恒定偏置电流I1、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第一电阻、第二电阻、第六电阻和第七电阻,其中第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管和第九NMOS管是高压管,

第一PMOS管的栅极连接一个参考电压,其源极连接恒定偏置电流I1和第一NMOS管的栅极,第一PMOS管的漏极连接信号地;

第一NMOS管的漏极连接电源电压,其源极连接第二NMOS管的漏极;

第二NMOS管的栅极连接第一控制信号,其源极连接第一电阻;

当Buck变换器的上功率管关闭、下功率管打开时,所述第一控制信号为高电平,当Buck变换器的上功率管打开、下功率管关闭时,所述第一控制信号为低电平;

第二电阻的一端连接第一电阻,第二电阻的另一端连接第九NMOS管的漏极和第六电阻的一端;

第六NMOS管的漏极连接Buck变换器的开关节点,其栅极连接所述第一控制信号,其源极连接第七NMOS管的漏极;

第七NMOS管的栅极连接所述第一控制信号,其漏极连接第八NMOS管的漏极;

第八NMOS管的栅极连接所述第一控制信号,其源极连接第九NMOS管的源极;

第九NMOS管的栅极连接所述第一控制信号;

第十NMOS管的栅极和漏极连接第六电阻的一端,接入比较器模块的负输入端,其源极连接信号地;

第七电阻的一端连接所述Buck变换器的功率地,其另一端连接第十一NMOS管的栅极和漏极,接入比较器模块的正输入端;

第十一NMOS管的源极连接信号地。

2.根据权利要求1所述的一种用于峰值电流模控制Buck变换器的过零检测电路,其特征在于,所述动态偏置模块包括第一电容、第二电容、第二PMOS管、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管,

第二PMOS管的源极连接电源电压,其栅极和漏极连接,为比较器模块提供偏置电流;

第一电容的一端连接所述第一控制信号,其另一端连接第三NMOS管的栅极和第三电阻的一端;

第三电阻的另一端连接信号地;

第三NMOS管的漏极连接第二PMOS管的漏极跟栅极,其源极连接信号地;

第四电阻的一端连接所述第一控制信号,其另一端连接第四NMOS管的漏极和第五NMOS管的栅极;

第二电容的一端连接所述第一控制信号,其另一端连接第四NMOS管的漏极和第五NMOS管的栅极;

第四NMOS管的栅极连接第五NMOS管的源极和第五电阻的一端,第四NMOS管的源极连接信号地;

第五NMOS管的漏极连接第二PMOS管的栅极和漏极;

第五电阻的一端连接第四NMOS管的栅极和第五NMOS管的源极,其另一端连接信号地。

3.根据权利要求2所述的一种用于峰值电流模控制Buck变换器的过零检测电路,其特征在于,所述比较器模块的输入对管为第四PMOS管和第五PMOS管,第四PMOS管的栅极是比较器模块的正输入端,第五PMOS管的栅极是比较器模块的负输入端;

具体的,所述比较器模块包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管和第十五NMOS管,

第三PMOS管的栅极连接第二PMOS管的栅极和漏极,第三PMOS管的源极连接电源电压,其漏极连接第四PMOS管和第五PMOS管的源极;

第四PMOS管的栅极连接第六电阻的一端和第十NMOS管的栅极与漏极,第四PMOS管的漏极连接第十二NMOS管的栅极和漏极;

第五PMOS管的栅极连接第七电阻的一端和第十一NMOS管的栅极与漏极,第五PMOS管的漏极连接第十三NMOS管的漏极和第十四NMOS管的栅极;

第十二NMOS管的栅极和漏极连接第十三NMOS管的栅极,第十二NMOS管的源极连接信号地;

第十三NMOS管的源极连接信号地;

第六PMOS管的源极连接电源电压,其栅极连接第二PMOS管的栅极和漏极,第六PMOS管的漏极连接第十四NMOS的漏极;

第十四NMOS管的源极连接信号地;

第九PMOS管的栅极和漏极连接信号地,其源极连接第六PMOS管的漏极和第十五NMOS管的栅极;

第七PMOS管的源极连接电源电压,其栅极连接第二PMOS管的栅极和漏极,第七PMOS管的漏极连接第十五NMOS管的漏极;

第十五NMOS管的源极连接信号地;

第八PMOS管的源极连接电源电压,其栅极连接所述第一控制信号,其漏极连接第十五NMOS管的漏极。

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