[发明专利]一种半导体材料退火装置及退火方法

权利要求书

1.一种半导体材料退火装置，其特征在于，包括：

转移室，所述转移室内设有载样台，所述转移室上活动设有样品传送装置，所述样品传送装置用于载样台上样品的放置与移出；

第一加热室，所述第一加热室与所述转移室相连通，所述第一加热室用于对样品进行热解处理；

第二加热室，所述第二加热室与所述转移室相连通，所述第二加热室用于对样品进行退火处理；

冷却室，所述冷却室与所述转移室相连通，所述冷却室用于对所述第一加热室或者所述第二加热室处理后的样品进行冷却处理；

旋转升降机构，所述旋转升降机构与所述载样台相连接，所述旋转升降机构用于带动所述载样台并带着样品在所述第一加热室、所述第二加热室和所述冷却室之间进行转换。

2.根据权利要求1所述的半导体材料退火装置，其特征在于，所述第一加热室、所述第二加热室和所述冷却室的中心投射到同一平面上，所述第一加热室、所述第二加热室和所述冷却室的中心之间以同心圆的方式均匀分布。

3.根据权利要求2所述的半导体材料退火装置，其特征在于，所述旋转升降机构包括竖直支撑结构和水平支撑结构，所述竖直支撑结构与所述水平支撑结构垂直连接，所述竖直支撑结构位于所述第一加热室、第二加热室和冷却室的中心之间所在同心圆的圆心位置，所述载样台设于所述水平支撑结构上，且所述载样台在所述水平支撑结构上的位置与所述第一加热室、第二加热室和冷却室的中心对应。

4.根据权利要求1所述的半导体材料退火装置，其特征在于，所述第一加热室与所述转移室之间设有隔板阀，所述第二加热室与所述转移室之间设有隔板阀，所述冷却室与所述转移室之间设有隔板阀。

5.根据权利要求1所述的半导体材料退火装置，其特征在于，还包括等离子体发生器，所述第一加热室和所述第二加热室上均设有所述等离子体发生器。

6.根据权利要求1所述的半导体材料退火装置，其特征在于，所述冷却室与所述样品传送装置位于同一侧，且所述样品传送装置位于所述冷却室的上方。

7.根据权利要求1所述的半导体材料退火装置，其特征在于，还包括抽真空装置，所述转移室、所述第一加热室、所述第二加热室和所述冷却室均与所述抽真空装置相连通。

8.根据权利要求7所述的半导体材料退火装置，其特征在于，还包括第一供气装置，所述第一供气装置用于向所述第一加热室和所述第二加热室提供保护气体。

9.根据权利要求7所述的半导体材料退火装置，其特征在于，还包括第二供气装置，所述第二供气装置用于向所述第一加热室和所述第二加热室提供反应气氛。

10.一种半导体材料退火方法，其特征在于，通过权利要求1-9任意一项所述的半导体材料退火装置实现，包括以下步骤：

S1、将待处理样品通过旋转升降机构送至第一加热室内进行热解处理；

S2、将经过步骤S1处理后的样品通过旋转升降机构由第一加热室转移到第二加热室内进行退火处理；

S3、将经过步骤S2处理后的样品通过旋转升降机构由第二加热室转移到第一加热室内进行加热去除样品表面的碳膜；

S4、将经过步骤S3处理后的样品通过旋转升降机构由第一加热室转移到冷却室内进行冷却处理，冷却结束后，移出转移室。