[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法

说明书

本发明公开一种高电子迁移率电晶体晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，主要先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一P型半导体层于该阻障层上，形成一第一层包含一负电荷区设于该P型半导体层一侧，然后再形成一第二层包含一正电荷区设于该P型半导体层另一侧。

技术领域

本发明涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。

背景技术

以氮化镓基材料(GaN-based materials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽能隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elastic modulus)、高压电与压阻系数(high piezoelectric and piezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通信元件等应用的元件的制作。

发明内容

本发明一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,HEMT)的方法，其主要先形成一缓冲层于一基底上，然后形成一阻障层于该缓冲层上，形成一P型半导体层于该阻障层上，形成一第一层包含一负电荷区设于该P型半导体层一侧，然后再形成一第二层包含一正电荷区设于该P型半导体层另一侧。

本发明另一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管，其主要包含一缓冲层设于基底上、一阻障层设于该缓冲层上、一P型半导体层设于该阻障层上、一第一层包含负电荷区设于该P型半导体层一侧以及一第二层包含第一正电荷区设于该P型半导体层另一侧。

本发明又一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管，其主要包含一缓冲层设于基底上、一阻障层设于该缓冲层上、一P型半导体层设于该阻障层上、一第一层包含负电荷区设于该P型半导体层两侧以及一第二层包含正电荷区设于该第一层上。

附图说明

图1至图2为本发明一实施例制作高电子迁移率晶体管的方法示意图；

图3至图7为本发明一实施例制作高电子迁移率晶体管的方法示意图；

图8为本发明一实施例的高电子迁移率晶体管的结构示意图；

图9至图11为本发明一实施例制作高电子迁移率晶体管的方法示意图。

主要元件符号说明

12:基底

14:缓冲层

16:阻障层

18:P型半导体层

20:保护层

22:介电层

24:正电荷区

26:图案化掩模

28:离子注入制作工艺

30:负电荷区

32:介电层

34:栅极电极

36:源极电极

38:漏极电极

40:介电层

42:二维电子气

具体实施方式