[发明专利]显示面板在审
申请号: | 202210040429.8 | 申请日: | 2022-01-14 |
公开(公告)号: | CN114420735A | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 栗华;韩佰祥;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板具有弯折区,所述显示面板包括:
衬底;
第一应力释放层,设置在所述衬底上,且对应于所述弯折区;
导电结构,设置在所述衬底上,所述导电结构的杨氏模量大于所述第一应力释放层的杨氏模量,所述导电结构于所述衬底上的正投影至少部分重叠于所述第一应力释放层于所述衬底上的正投影。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述导电结构包括第一导电结构,所述第一导电结构为单层结构,所述第一导电结构设置在所述第一应力释放层远离和/或靠近所述衬底的一面。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
缓冲层,设置在所述衬底上;
第一半导体层,设置在所述缓冲层远离所述衬底的一面;
栅极绝缘层,设置在所述第一半导体层远离所述缓冲层的一面;
第一栅极,设置在所述栅极绝缘层远离所述第一半导体层的一面;
层间介质层,覆盖所述第一栅极、所述第一半导体层和所述缓冲层,所述第一应力释放层设置在所述层间介质层远离所述第一栅极的一面,所述第一导电结构设置在所述第一应力释放层远离和/或靠近所述层间介质层的一面,其中,所述层间介质层的杨氏模量大于所述第一应力释放层的杨氏模量。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电结构包括第一源极和第一漏极,所述第一应力释放层包括间隔设置的多个第一应力释放块,所述第一源极和所述第一漏极分别覆盖一所述第一应力释放块;
所述层间介质层包括第一过孔、第二过孔,所述第一过孔和第二过孔贯穿所述层间介质层,所述第一源极和所述第一漏极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一半导体层电连接。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一应力释放层还覆盖所述第一导电结构的至少一侧面。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述导电结构包括第一导电结构,所述第一导电结构包括第一导电层和第二导电层,所述第一导电层设置在所述第一应力释放层靠近所述衬底的一面,所述第二导电层设置在所述第一应力释放层远离所述衬底的一面,所述第一应力释放层包括多个接触孔,所述第一导电层和所述第二导电层通过所述接触孔电连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
缓冲层,设置在所述衬底上;
第一半导体层,设置在所述缓冲层远离所述衬底的一面;
栅极绝缘层,设置在所述第一半导体层远离所述缓冲层的一面;
第一栅极,设置在所述栅极绝缘层远离所述第一半导体层的一面;
层间介质层,覆盖所述第一栅极、所述第一半导体层和所述缓冲层,所述第一应力释放层设置在所述层间介质层远离所述第一栅极的一面,所述第一导电层设置在所述第一应力释放层靠近所述层间介质层的一面,所述第二导电层设置在所述第一应力释放层远离所述层间介质层的一面,其中,所述层间介质层的杨氏模量大于所述第一应力释放层的杨氏模量。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第一导电层包括第一源极的第一部分和第一漏极的第一部分,所述第二导电层包括所述第一源极的第二部分和所述第一漏极的第二部分,所述第一源极的第一部分和所述第一源极的第二部分通过至少一个所述接触孔电连接,所述第一漏极的第一部分和所述第一漏极的第二部分通过至少一个所述接触孔电连接;
所述层间介质层包括第一过孔、第二过孔,所述第一过孔和第二过孔贯穿所述层间介质层,所述第一源极的第一部分和所述第一漏极的第一部分分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述第一半导体层电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的