[发明专利]一种提高BV稳定性的SGT终端结构及其制备方法

权利要求书

1.一种提高BV稳定性的SGT终端结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一导电类型衬底，在所述衬底的上侧制作外延层；

在所述外延层上刻蚀形成多个沟槽；

在所述外延层的上侧及沟槽的内侧生长场氧层；

在有源区和终端区内的沟槽内分别制作形成第一导电类型的屏蔽栅多晶硅和多晶硅场板；

在所述屏蔽栅多晶硅和多晶硅场板上侧的沟槽内制作第一氧化层，所述屏蔽栅多晶硅上侧的第一氧化层刻蚀形成隔离氧化层；

在所述隔离氧化层上侧的沟槽内和外延层的上侧生长栅氧化层；

在所述栅氧化层内侧的沟槽内制作第一导电类型的控制栅多晶硅，并在所述控制栅多晶硅的上侧制作形成第二氧化层；

在所述外延层上制作第二导电类型的体区；

在所述栅氧化层的上侧淀积形成第二导电类型的多晶硅，然后对所述多晶硅进行刻蚀操作，对所述体区内以及栅氧化层上侧经过刻蚀保留的多晶硅的内端部执行第一导电类型元素注入和退火操作，以制作形成设置在有源区的体区内的第一阱区、设置在终端区的体区外端的第二阱区、以及设置在所述栅氧化层上侧的二极管和电阻，所述二极管的外端与电阻的内端连接，位于终端区内相邻的两个沟槽之间的外延层内形成有空置区，所述二极管和电阻设置在空置区的上侧；

淀积形成第一介质层，并在所述第一介质层上刻蚀形成第一连接孔；

在所述第一介质层的上侧及第一连接孔内溅射形成第一金属层，所述第一金属层经刻蚀形成与第一阱区连接的第一源极金属、与多晶硅场板和二极管的内端分别连接的电容场板金属、与电阻的外端、多晶硅场板和第二阱区分别连接的截止环金属以及栅极金属；

淀积形成第二介质层，在所述第二介质层上刻蚀形成第二连接孔，在所述第二介质层的上侧及第二连接孔内溅射形成第二金属层，所述第二金属层经刻蚀形成与第一源极金属连接的第二源极金属，所述第二源极金属向外延伸至电容场板金属的上侧，以与所述电容场板金属配合形成电容结构。

2.根据权利要求1所述的提高BV稳定性的SGT终端结构的制造方法，其特征在于，对所述体区内以及栅氧化层上侧经过刻蚀保留的多晶硅的内端部注入的元素为砷元素，注入的剂量为5E15-1E16atom/cm²，注入的能量为60KeV，退火温度为950℃，退火时间为60min。

3.根据权利要求1所述的提高BV稳定性的SGT终端结构的制造方法，其特征在于，在所述第二源极金属及第二介质层的上侧沉积钝化层，并在所述钝化层上刻蚀形成源极和栅极的开口区。

4.根据权利要求1所述的提高BV稳定性的SGT终端结构的制造方法，其特征在于，在所述衬底的下侧制作形成背金层。

5.一种提高BV稳定性的SGT终端结构，其特征在于，包括第一导电类型衬底和设置在所述衬底的上侧的外延层，所述外延层上设有多个沟槽，所述沟槽的内侧设有场氧层，有源区和终端区内的沟槽内分别制作形成第一导电类型的屏蔽栅多晶硅和多晶硅场板，所述屏蔽栅多晶硅和多晶硅场板上侧的沟槽内分别设有隔离氧化层和第一氧化层，所述隔离氧化层上侧的沟槽内设有栅氧化层，所述栅氧化层内侧的沟槽内设有第一导电类型的控制栅多晶硅，所述控制栅多晶硅的上侧设有第二氧化层，所述外延层上设有第二导电类型的体区，所述有源区的体区内设有第一阱区，所述终端区的体区外端设有第二阱区，所述栅氧化层的上侧二极管和电阻，所述二极管的外端与电阻的内端连接，位于终端区内相邻的两个沟槽之间形成有空置区，所述二极管和电阻设置在空置区的上侧，所述栅氧化层、二极管和电阻的上侧设有第一介质层，所述第一介质层上设有第一连接孔，所述介质层的上侧设有与源区内的阱区连接的第一源极金属、与多晶硅场板和二极管的内端分别连接的电容场板金属、与电阻的外端、多晶硅场板和第二阱区分别连接的截止环金属以及栅极金属，所述第一源极金属、电容场板金属、截止环金属和栅极金属的上侧及其之间的第一介质层的上侧第二介质层，所述第二介质层上设有第二连接孔，所述第二介质层的上侧设有与第一源极金属连接的第二源极金属，所述第二源极金属向外延伸至电容场板金属的上侧，以与所述电容场板金属配合形成电容结构。