[发明专利]一株具有促进石斛新叶生长能力的瘤菌根菌菌株TP-11及其应用有效
| 申请号： | 202210025989.6 | 申请日： | 2022-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN114507618B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 高江云;吴益花;陈德赟;李能奇 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | C12N1/20 | 分类号： | C12N1/20;A01N63/20;A01P21/00;A01G31/00;C12R1/01 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 薛红凡 |
| 地址： | 650091*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 促进 石斛 新叶 生长 能力 菌根 菌株 tp 11 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一株具有促进铁皮石斛新叶生长能力的瘤菌根菌（
2.一种具有促进铁皮石斛新叶生长能力的菌剂，其特征在于，包括权利要求1所述瘤菌根菌菌株TP-11和可接受的辅料。
3.权利要求1所述瘤菌根菌菌株TP-11或权利要求2所述菌剂在促进铁皮石斛新叶生长中的应用。
4.一种促进铁皮石斛新叶生长的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将铁皮石斛幼苗和权利要求1所述瘤菌根菌菌株TP-11或权利要求2所述菌剂在共生培养基上共生培养。
5.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述共生培养基包括燕麦琼脂培养基。
6.根据权利要求4所述方法，其特征在于，所述瘤菌根菌菌株TP-11的扩大培养方法，将瘤菌根菌菌株TP-11接种至PDA培养基上，黑暗培养至菌丝长满培养皿。
7.根据权利要求6所述方法，其特征在于，所述黑暗培养的温度为23~27℃。
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