[发明专利]一种高精准DCOC的版图结构设计方法在审
| 申请号： | 202210011202.0 | 申请日： | 2022-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN114330210A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张妮娜;郑雷;袁立凯;尹莉;周旸;庞坚 | 申请（专利权）人： | 芯河半导体科技（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/392 | 分类号： | G06F30/392;G06F30/3953 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 精准 dcoc 版图 结构设计 方法 | ||
1.一种高精准DCOC的版图结构设计方法，其特征在于，整体版图布局采用中心对称分布，Q路的mos管分布在左上右下对角线方向，I路的mos管分布在右上左下对角线方向，整个DCOC的最外侧分布有dummy mos管；整个版图结构的左右两侧布局的中间分布有dummy mos管；整个版图的对角线上均分布有dummy mos管；版图左侧布局以中间的Q路1倍电流源的mos管、Q路8倍电流源mos管、Q路32倍电流源mos管以及dummy mos管为中心线上下对称设置；版图右侧布局以中间的I路1倍电流源的mos管、I路8倍电流源mos管、I路32倍电流源mos管以及dummy mos管为中心线上下对称设置。
2.根据权利要求1所述的一种高精准DCOC的版图结构设计方法，其特征在于，整体版图布局中，1代表Q路1倍电流源的mos管，2代表Q路2倍电流源mos管，4代表Q路4倍电流源mos管，8代表Q路8倍电流源mos管，16代表Q路16倍电流源mos管，32代表Q路32倍电流源mos管，64代表Q路64倍电流源mos管；1`代表I路1倍电流源的mos管，2`代表I路2倍电流源mos管，4`代表I路4倍电流源mos管，8`代表I路8倍电流源mos管，16`代表I路16倍电流源mos管，32`代表I路32倍电流源mos管，64`代表I路64倍电流源mos管。
3.根据权利要求1所述的一种高精准DCOC的版图结构设计方法，其特征在于，版图左、右两侧的布局中，I路中各个多倍电流源的mos管与Q路中各个多倍电流源mos管的数量相同。
4.根据权利要求1所述的一种高精准DCOC的版图结构设计方法，其特征在于，整体版图中mos管以中心向外发散的形式设计，总体上，低倍电流源mos管位于高倍电流源mos管的内侧。
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