[发明专利]电极熔接方法和电极熔接装置在审
申请号: | 202210007693.1 | 申请日: | 2022-01-05 |
公开(公告)号: | CN114871568A | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
发明(设计)人: | 一宫佑希;金永奭 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B23K26/00 | 分类号: | B23K26/00;B23K26/70;H01L21/60 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;杨俊波 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电极 熔接 方法 装置 | ||
本发明提供电极熔接方法和电极熔接装置,能够将凸块电极适当地熔接于布线基板的电极上。该电极熔接方法包含:激光照射装置准备工序,准备激光照射装置,该激光照射装置包含激光振荡器和空间光调制器,激光振荡器射出对于半导体芯片具有吸收性的波长的激光光线,空间光调制器调整激光振荡器射出的激光光线的能量分布;电极定位工序,将凸块电极与布线基板的电极对应地进行定位;以及电极熔接工序,向半导体芯片的背面照射激光光线而将器件的凸块电极熔接于布线基板的电极上。
技术领域
本发明涉及电极熔接方法和电极熔接装置,将在半导体芯片的正面上配设有多个凸块电极的器件熔接于布线基板的电极上。
背景技术
对于在硅等半导体芯片的正面上配设有凸块电极的IC、LSI等器件,将凸块电极熔接于布线基板的电极而用于移动电话、个人计算机等电子设备。
作为将凸块电极熔接于布线基板的电极的方法,提出了从半导体芯片的背面侧照射激光光线而使凸块电极熔融从而熔接于布线基板的电极的技术(例如参照专利文献1~3)。
专利文献1:日本特开平02-249247号公报
专利文献2:日本特开平05-283479号公报
专利文献3:日本特开2006-140295号公报
在上述专利文献1记载的技术中,对半导体芯片的整个背面照射激光光线而对凸块电极进行加热从而使凸块电极熔融,对基板的连接端子同时熔接多个凸块电极。但是,存在多个凸块电极未被均匀地加热、熔接不均匀的问题。
另外,在上述专利文献2、3记载的技术中,对准各个凸块电极而分别照射激光光线,但存在如下的问题:花费时间,并且难以朝向凸块电极分别准确地定位聚光点位置,另外对全部的凸块电极进行熔接花费时间。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供电极熔接方法和电极熔接装置,能够将凸块电极可靠地熔接于布线基板的电极上。
根据本发明的一个方式,提供电极熔接方法,将在半导体芯片的正面上配设有多个凸块电极的器件熔接于布线基板的电极上,其中,该电极熔接方法具有如下的工序:激光照射装置准备工序,准备激光照射装置,该激光照射装置包含激光振荡器、空间光调制器以及控制单元,该激光振荡器射出对于该半导体芯片具有吸收性的波长的激光光线,该空间光调制器调整从该激光振荡器射出的激光光线的能量分布,该控制单元调整该空间光调制器以便通过所照射的激光光线使多个凸块电极的加热温度均匀化;电极定位工序,将凸块电极与布线基板的电极对应地进行定位;以及电极熔接工序,在实施了该电极定位工序之后,向半导体芯片的背面照射激光光线而将器件的凸块电极熔接于布线基板的电极上。
根据本发明的另一方式,提供电极熔接装置,其将在半导体芯片的正面上配设有多个凸块电极的器件熔接于布线基板的电极上,其中,该电极熔接装置具有:激光照射装置,其包含激光振荡器、空间光调制器以及控制单元,该激光振荡器射出对于该半导体芯片具有吸收性的波长的激光光线,该空间光调制器调整该激光振荡器射出的激光光线的能量分布,该控制单元调整该空间光调制器以便通过所照射的激光光线使多个凸块电极的加热温度均匀化;工作台,其对该布线基板进行支承,并且对已将该凸块电极与该布线基板的该电极对应地进行了定位的该器件进行支承;以及加工移动机构,其使该激光照射装置与该工作台相对地进行加工移动。
优选该激光照射装置还包含使通过该空间光调制器调整了能量分布的激光光线会聚的聚光器。
根据本发明的电极熔接方法,能够通过空间光调制器而选择性地调整构成器件的半导体芯片的加热区域,将凸块电极均匀地进行加热,在布线基板的电极上可靠地熔接器件的凸块电极,从而消除了多个凸块电极的熔融不均匀的问题。
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