[发明专利]固态摄像装置及其制造方法在审
| 申请号: | 202180085150.5 | 申请日: | 2021-12-06 | 
| 公开(公告)号: | CN116670804A | 公开(公告)日: | 2023-08-29 | 
| 发明(设计)人: | 山元纯平 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 | 
| 主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205 | 
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;姚鹏 | 
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种固态摄像装置,包括:
第一基板,其包括第一半导体基板;
多个光电转换部,其设置在所述第一半导体基板中;和
像素分离部,其设置在所述第一半导体基板中的所述多个光电转换部之间,
其中,所述像素分离部的侧表面与所述第一半导体基板之间的界面具有{100}面。
2.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述像素分离部包括绝缘膜。
3.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中,所述像素分离部还包括遮光膜。
4.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中,所述绝缘膜含有氧和包含在所述第一半导体基板中的元素。
5.根据权利要求2所述的固态摄像装置,其中,所述绝缘膜包括在平面图中具有第一膜厚度的第一部分和设置在所述像素分离部的角部处并且具有比所述第一膜厚度更厚的第二膜厚度的第二部分。
6.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述像素分离部包括在平面图中沿平行于所述第一半导体基板的表面的第一方向延伸的多个第一部分以及沿平行于所述第一半导体基板的表面的第二方向延伸的多个第二部分。
7.根据权利要求5所述的固态摄像装置,其中,所述平面图对应于观察所述第一半导体基板的光入射面的状态。
8.根据权利要求6所述的固态摄像装置,其中,所述第一方向或所述第二方向平行于所述第一半导体基板的100方向。
9.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述像素分离部设置在贯穿所述第一半导体基板的像素分离槽中。
10.根据权利要求1所述的固态摄像装置,其中,所述像素分离部设置在不贯穿所述第一半导体基板的像素分离槽中。
11.根据权利要求1所述的固态摄像装置,还包括:
第一绝缘层,其设置在所述第一基板的与光入射面相对的一侧;和
第二基板,其包括设置为面对所述第一绝缘层的第二半导体基板;
其中,所述第二基板包括晶体管。
12.根据权利要求11所述的固态摄像装置,其中,所述像素分离部包括在平面图中沿平行于所述第一半导体基板的表面的第一方向延伸的多个第一部分以及沿平行于所述第一半导体基板的表面的第二方向延伸的多个第二部分。
13.根据权利要求12所述的固态摄像装置,
其中,所述第一方向或所述第二方向平行于所述第二半导体基板的110方向,并且
所述晶体管是具有平行于110方向的沟道方向的n型平面晶体管。
14.根据权利要求12所述的固态摄像装置,
其中,所述第一方向或所述第二方向平行于所述第二半导体基板的100方向,并且
所述晶体管是鳍型晶体管,所述鳍型晶体管具有作为所述第二半导体基板的{100}面的鳍侧壁并且具有平行于所述第一方向或所述第二方向的沟道方向。
15.根据权利要求12所述的固态摄像装置,
其中,所述第一方向或所述第二方向平行于所述第二半导体基板的100方向,并且
所述晶体管是具有平行于100方向的沟道方向的p型平面晶体管。
16.根据权利要求12所述的固态摄像装置,
其中,所述第一方向或所述第二方向平行于所述第二半导体基板的110方向,并且
所述晶体管是鳍型晶体管,所述鳍型晶体管具有作为所述第二半导体基板的{100}面的鳍侧壁并且具有不平行于所述第一方向或所述第二方向的沟道方向。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





