[发明专利]固态成像元件和电子设备在审
| 申请号: | 202180080925.X | 申请日: | 2021-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN116547814A | 公开(公告)日: | 2023-08-04 |
| 发明(设计)人: | 前田修平;田中隆;福井大伸 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 杨小明 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 元件 电子设备 | ||
1.一种固态成像元件,包括:
第一半导体基板;
第二半导体基板,第二半导体基板堆叠在第一半导体基板上,绝缘层介于第一半导体基板与第二半导体基板之间;
光电转换元件,光电转换元件设置在第一半导体基板上并且通过光电转换产生电荷;
浮置扩散层,浮置扩散层设置在第一半导体基板上并且保持由光电转换元件产生的电荷;
传输栅极,传输栅极是传输晶体管的栅电极,传输晶体管设置在第一半导体基板上并且将由光电转换元件产生的电荷传输到浮置扩散层;
第一贯通布线,第一贯通布线电连接到浮置扩散层并且贯穿所述绝缘层和第二半导体基板;
第二贯通布线,第二贯通布线电连接到传输栅极并且贯穿所述绝缘层和第二半导体基板;
布线层,布线层堆叠在第二半导体基板上并且具有电连接到第一贯通布线或第二贯通布线的布线;和
调节层,调节层设置在第二半导体基板上以与第一贯通布线和第二贯通布线中的两个或一个接触并且调节传输栅极和浮置扩散层之间的电容。
2.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中,
调节层包括:
设置在第二半导体基板上以与第一贯通布线接触的扩散层;以及
设置在第二半导体基板上以与第二贯通布线接触而不与扩散层接触的栅极层。
3.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中,
调节层包括:
设置在第二半导体基板上以与第一贯通布线接触的第一扩散层;以及
设置在第二半导体基板上以与第二贯通布线接触而不与第一扩散层接触的第二扩散层。
4.根据权利要求1所述的固态成像元件,其中,
调节层包括:
设置在第二半导体基板上以与第二贯通布线接触的扩散层。
5.根据权利要求2所述的固态成像元件,其中,
扩散层由与浮置扩散层相同的材料形成。
6.根据权利要求2所述的固态成像元件,其中,
栅极层由与传输栅极相同的材料形成。
7.根据权利要求3所述的固态成像元件,其中,
第一扩散层和第二扩散层由相同的材料形成。
8.根据权利要求3所述的固态成像元件,其中,
第一扩散层和第二扩散层由与浮置扩散层相同的材料形成。
9.根据权利要求4所述的固态成像元件,其中,
扩散层由与浮置扩散层相同的材料形成。
10.一种电子设备,包括:
固态成像元件,其中,
固态成像元件包括:
第一半导体基板;
第二半导体基板,第二半导体基板堆叠在第一半导体基板上,绝缘层介于第一半导体基板与第二半导体基板之间;
光电转换元件,光电转换元件设置在第一半导体基板上并且通过光电转换产生电荷;
浮置扩散层,浮置扩散层设置在第一半导体基板上并且保持由光电转换元件产生的电荷;
传输栅极,传输栅极是传输晶体管的栅电极,传输晶体管设置在第一半导体基板上并且将由光电转换元件产生的电荷传输到浮置扩散层;
第一贯通布线,第一贯通布线电连接到浮置扩散层并且贯穿所述绝缘层和第二半导体基板;
第二贯通布线,第二贯通布线电连接到传输栅极并且贯穿所述绝缘层和第二半导体基板;
布线层,布线层堆叠在第二半导体基板上并且具有电连接到第一贯通布线或第二贯通布线的布线;和
调节层,调节层设置在第二半导体基板上以与第一贯通布线和第二贯通布线中的两个或一个接触并且调节传输栅极和浮置扩散层之间的电容。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司,未经索尼半导体解决方案公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180080925.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





