[发明专利]用于并行化晶体管的设备及方法

权利要求书

1.一种设备，其包括：

第一晶体管，其位于第一裸片上，所述第一晶体管包含第一端子、第二端子及控制触点，所述第一端子耦合到电压总线端子，且所述第二端子耦合到切换端子；

第二晶体管，其位于第二裸片上，所述第二晶体管包含第三端子及第四端子，所述第三端子耦合到所述电压总线端子，且所述第四端子耦合到所述切换端子；

并行反馈端子，其耦合到所述第一裸片及所述第二裸片；

电流传感器，其包含第一触点及第二触点，所述第一触点耦合到所述第一晶体管的所述第一端子，且所述第二触点耦合到所述第一晶体管的所述第二端子；

电阻器，其耦合到所述电流传感器及所述切换端子或接地端子中的至少一者；

有源驱动控制器，其包含：

第一输入，其耦合到所述电阻器；

第二输入，其耦合到所述并行反馈端子；及

输出，其耦合到所述并行反馈端子；及

边缘延迟控制器，其经调适以耦合到栅极驱动器及误差放大器，且所述控制触点经调适以耦合到所述栅极驱动器。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电阻器是第一电阻器，且所述设备进一步包括耦合于所述并行反馈端子与所述电压总线端子或所述切换端子中的至少一者之间的第二电阻器。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述有源驱动控制器包含运算放大器及跟随领导开关。

4.根据权利要求3所述的设备，其中所述控制触点是第一控制触点，所述跟随领导开关是PFET，所述PFET包含第二控制触点、第五端子及第六端子，所述输出耦合到所述PFET的所述第二控制触点，所述PFET的所述第五端子耦合到所述并行反馈端子，且所述PFET的所述第六端子耦合到所述切换端子或所述接地端子中的至少一者。

5.根据权利要求3所述的设备，其进一步包括耦合于所述并行反馈端子与所述运算放大器之间的旁路连接。

6.根据权利要求5所述的设备，其中所述旁路连接响应于所述有源驱动控制器转变为有源驱动模式而耦合于所述并行反馈端子与所述运算放大器之间。

7.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

第一切换采样电阻器，其经调适以耦合到所述误差放大器；及

第二切换采样电阻器，其经调适以耦合到所述误差放大器。

8.根据权利要求7所述的设备，其进一步包括：

第一电阻器开关，其耦合到所述第一切换采样电阻器及所述并行反馈端子；及

第二电阻器开关，其耦合到所述第二切换采样电阻器及所述电阻器。

9.一种电路，其包括：

第一裸片，其包含第一晶体管，所述第一晶体管包含第一端子、第二端子及控制触点，所述第一端子耦合到电压总线端子，且所述第二端子耦合到切换端子；

第二裸片，其包含第二晶体管，所述第二晶体管包含第三端子及第四端子，所述第三端子耦合到所述电压总线端子，且所述第四端子耦合到所述切换端子；

并行反馈端子，其耦合到所述第一裸片及所述第二裸片；

指示器开关，其耦合到所述并行反馈端子及所述电压总线端子、所述切换端子或接地端子中的至少一者；

故障指示器，其位于所述第一裸片上，耦合到所述指示器开关；及

故障监控器，其位于所述第二裸片上，耦合到所述并行反馈端子，所述故障监控器经调适以耦合到逻辑块。

10.根据权利要求9所述的电路，其中所述指示器开关是NFET或PFET中的至少一者。

11.根据权利要求9所述的电路，其中所述故障指示器经配置以检测所述第一裸片的故障条件。

12.根据权利要求11所述的电路，其中所述故障条件是过电流条件、欠电流条件、超温条件或超额频率条件中的至少一者。