[发明专利]将图案转移到发光器件的外延层的方法在审
申请号: | 202180073369.3 | 申请日: | 2021-10-28 |
公开(公告)号: | CN116508137A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | S·甘德罗修拉;神川刚 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚大学董事会 |
主分类号: | H01L21/36 | 分类号: | H01L21/36 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 贺紫秋 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 转移 发光 器件 外延 方法 | ||
具有集成在其外延层中的光提取或导向结构的发光器件,其中使用横向外延生长技术制造光提取和导向结构,该技术将图案从生长限制掩模和/或主衬底转移到外延层。
相关申请的交叉引用
本申请根据35U.S.C.Section 119(e)要求以下共同未决和共同转让申请的权益:
Srinivas Gandrothula和Takeshi Kamikawa于2020年10月28日提交的题为“METHOD OF TRANSFERRING A PATTERN TO AN EPITAXIAL LAYER OF A LIGHT EMITTINGDEVICE”(代理人案卷号GC30794.0786USP1(UC 2021-565-1))的美国临时申请序列号63/106,444;
该申请在此引入作为参考。
本申请与以下共同未决和共同转让的申请相关:
Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2019年10月24日提交的题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE”(代理人案卷号30794.0653USWO(UC 2017-621-2))的美国实用新型专利申请序列号16/608,071,该申请根据35U.S.C.Section 365(c)要求Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2018年05月07日提交的题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE”(代理人案卷号30794.0653WOU1(UC 2017-621-2))的共同待决和共同转让的PCT国际专利申请序列号PCT/US18/31393的权益,该申请根据35U.S.C.Section119(e)要求TakeshiKamikawa、Srinivas Gandrothula、Hongjian Li和Daniel A.Cohen于2017年05月05日提交的题为“METHOD OF REMOVING ASUBSTRATE”(代理人案卷号30794.0653USP1(UC 2017-621-1))的共同待决和共同转让的美国临时专利申请序列号62/502,205的权益;
Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2020年02月26日提交的题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH ACLEAVING TECHNIQUE”(代理人案卷号30794.0659USWO(UC 2018-086-2))的美国实用新型专利申请序列号16/642,298,该申请根据35U.S.C.Section 365(c)要求Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和HongjianLi于2018年09月17日提交的题为“METHOD OF REMOVING ASUBSTRATE WITH A CLEAVINGTECHNIQUE”(代理人案卷号30794.0659WOU1(UC 2018-086-2))的共同待决和共同转让的PCT国际专利申请序列号PCT/US18/51375的权益,该申请根据35U.S.C.Section 119(e)要求Takeshi Kamikawa、Srinivas Gandrothula和Hongjian Li于2017年09月15日提交的题为“METHOD OF REMOVING A SUBSTRATE WITH ACLEAVING TECHNIQUE”(代理人案卷号30794.0659USP1(UC 2018-086-1))的共同待决和共同转让的美国临时专利申请序列号62/559,378的权益;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造