[发明专利]将图案转移到发光器件的外延层的方法在审
| 申请号： | 202180073369.3 | 申请日： | 2021-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN116508137A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | S·甘德罗修拉;神川刚 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L21/36 | 分类号： | H01L21/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 贺紫秋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案 转移 发光 器件 外延 方法 | ||
1.一种方法，包括：
在主衬底上形成生长限制掩模，其中在生长限制掩模和/或主衬底上形成一个或多个图案；并且
使用生长限制掩模在主衬底上生长一个或多个外延横向过生长(ELO)层和器件层，其中ELO层和器件层包括图案的副本。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案在所述ELO层和主衬底之间的界面处产生光控制结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案包括一个或多个随机谷-峰图案。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案包括一个或多个二维(2D)周期性晶格阵列，其尺寸等于从活性区发射的光的波长。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述2D周期性晶格阵列包括光子晶体。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案包括一个或多个曲面。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，至少一个曲面包括竖直腔面发射激光器(VCSEL)的谐振腔的平凹反射镜。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述谐振腔由外延生长的一层或多层构成。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案包括一个或多个不平坦区域。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述主衬底具有沟槽。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述主衬底是半导体衬底。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述半导体衬底与晶体取向无关。
13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述生长限制掩模由一层或多层构成。
14.一种通过根据权利要求1所述的方法制造的器件。
15.根据权利要求14所述的器件，其中，所述器件是发光二极管(LED)。
16.根据权利要求14所述的器件，其中，所述器件是竖直腔面发射激光器(VCSEL)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
