[发明专利]用于含金属光致抗蚀剂的显影的金属螯合剂

权利要求书

1.一种方法，其包含：

提供具有界面区域的辐射图案化膜，所述界面区域配置在辐射暴露区域与辐射未暴露区域之间或配置在辐射暴露区域之内，其中所述界面区域包含辐射暴露金属中心；以及

在金属螯合剂存在的情况下，对所述辐射图案化膜进行显影，其中所述金属螯合剂被配置成接合至所述界面区域的所述辐射暴露金属中心。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述辐射图案化膜包含极紫外光(EUV)敏感性膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述界面区域包含转变区域，所述转变区域配置在至少一个EUV暴露区域与至少一个EUV未暴露区域之间。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述显影还包含移除所述界面区域。

5.根据权利要求2所述的方法，其中所述显影还包含使用相较于所述辐射未暴露区域优先移除所述辐射暴露区域的溶剂或溶剂混合物。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述金属螯合剂能溶于所述溶剂或所述溶剂混合物中。

7.根据权利要求2所述的方法，其中相较于存在于所述辐射未暴露区域中的金属中心，所述金属螯合剂优先接合至所述界面区域的所述辐射暴露金属中心。

8.根据权利要求2至7中所述的方法，其中所述金属螯合剂包含双羰基、二元醇、羧酸、二酸、三酸、羟基羧酸、异羟肟酸、羟基内酯、羟基酮、或其盐类。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述金属螯合剂包含甲酸、柠檬酸、乙酰丙酮、水杨酸、邻苯二酚、或抗坏血酸。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述双羰基为1,3-二酮。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述羧酸包含R^A1-CO₂H，其中，R^A1为H、任选经取代的烷基、任选经取代的羟烷基、任选经取代的羟芳基、任选经取代的羧烷基、任选经取代的羧芳基、或任选经取代的芳基。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述异羟肟酸包含R^A1-C(O)NR^A2OH，其中，R^A1与R^A2中的每一者独立地为H、任选经取代的烷基、或任选经取代的芳基。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述羟基酮包含羟基吡啶酮、羟基嘧啶酮、或羟基吡喃酮。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述羟基酮包含化学式(I)、(II)、或(III)的结构：

或其盐类，其中：

X¹与X²中的每一者独立地为-CR¹＝或-N＝；以及

R¹与R²各自独立地为H、任选经取代的烷基、任选经取代的羟烷基、任选经取代的羧烷基、-C(O)NR^N1R^N2、或-C(O)OR^O1，其中R^N1、R^N2、以及R^O1中的每一者独立地为H、任选经取代的烷基、或任选经取代的烷基，其中任选地，R^N1与R^N2当接接合在一起时形成任选经取代的杂环基；以及

R³独立地为H、任选经取代的烷基、或任选经取代的芳基。

15.根据权利要求2至7中所述的方法，其中所述金属螯合剂包含配置在主链上的多个成分，且其中所述多个成分选自于由羟基、羧基、酰胺基、氨基、以及氧代基所组成的群组。