[发明专利]处理基板的方法和装置

说明书

本文提供了用于处理基板的方法和装置。例如，一种用于处理基板的处理腔室，包括腔室主体，腔室主体限定处理体积；射频(RF)功率源，射频(RF)功率源被配置成将RF能量传输至用于处理基板的处理空间；基板支撑件，所述基板支撑件包含电极；AC电源，AC电源被配置成将功率供应至处理腔室；RF滤波器电路，RF滤波器电路连接在电极与AC电源之间；以及控制器，控制器被配置成在RF滤波器电路处监测在操作期间由RF功率源间接感应至电极中的RF电压，且被配置成基于所监测的RF电压确定在处理体积中的处理状态。

技术领域

本公开的实施例大致涉及用于处理基板的方法和装置，并且更具体而言，涉及被配置成监测在基板处理期间使用的等离子体的状态的方法和装置。

相关技术说明

已知用于处理基板的等离子体处理腔室，但利用等离子体处理基板变得越来越具挑战性，例如当基板关键特征为小于30nm时。因此，例如，在基板处理期间在等离子体处理腔室内靠近静电吸盘(ESC)/基座区域监测和/或诊断等离子体的状态为关键需求。常规方法和装置使用通过在等离子体处理腔室的阻抗匹配网络的输出处的相对应电压和电流传感器提供的电压或电流量测来监测等离子体。尽管此方案可易于实施，但由于RF波传播通过将阻抗匹配电路连接至ESC/基座中的RF电极的传输线路，存在信息的潜在损失。

发明内容

本文提供了用于处理基板的方法和装置。在一些实施例中，一种用于处理基板的装置，包括腔室主体，腔室主体限定处理体积；射频(RF)功率源，射频(RF)功率源被配置成将RF能量传输至用于处理基板的处理体积；基板支撑件，基板支撑件包含电极；AC电源，AC电源被配置成将功率AC电源至处理腔室；RF滤波器电路，RF滤波器电路连接在电极与AC电源供应器之间；以及控制器，控制器被配置成在RF绿滤波器电路处监测在操作期间由RF功率源间接感应至电极中的RF电压，且被配置成基于所监测的RF电压确定在处理体积中的处理状态。

根据至少一些实施例，一种在处理腔室的处理体积中监测处理条件的方法，包括将射频(RF)功率从RF功率源供应至用于处理基板的处理体积；在RF滤波器电路处监测由RF功率源间接感应至电极中的RF电压；以及基于RF电压确定在处理体积中的处理状态。

根据至少一些实施例，一种非瞬态计算机可读存储介质，具有存储于其上的指令，当由处理器执行时，实行在处理腔室的处理体积中监测处理条件的方法。方法包括将射频(RF)功率从RF功率源供应至用于处理基板的处理体积；在RF滤波器电路处监测由RF功率源间接感应至电极中的RF电压；以及基于RF电压确定在处理体积中的处理状态。

以下说明本公开的其他及进一步实施例。

附图说明

以上简要概述且以下将详细讨论的本公开的实施例可通过在附图中描绘的本公开的说明性实施例而理解。然而，附图仅图示了本公开的典型实施例，因此并非考虑为对范围的限制，因为本公开可认可其他等效的实施例。

图1是根据本公开的至少一些实施例的处理腔室的横截面示意图。

图2是根据本公开的至少一些实施例图1的处理腔室的基板支撑件的横截面示意图。

图3是根据本公开的至少一些实施例的在图2的RF电极与基板支撑件的嵌入的电阻加热器之间RF耦合的等效集总电路模型的图。

图4是根据本公开的至少一些实施例的在处理腔室的处理体积中监测处理条件的方法。

为了促进理解，已尽可能地使用相同的附图标记代表附图中相同的元件。附图并非按照比例绘制，且可为了清楚而简化。一个实施例的元件及特征可有益地并入其他实施例中而无须进一步说明。

具体实施方式