[发明专利]处理基板的方法和装置

权利要求书

1.一种用于处理基板的处理腔室，包含：

腔室主体，所述腔室主体限定处理体积；

射频(RF)功率源，所述射频(RF)功率源被配置成将RF能量传输至用于处理基板的所述处理体积；

基板支撑件，所述基板支撑件包含电极；

AC电源，所述AC电源被配置成将功率供应至所述处理腔室；

RF滤波器电路，所述RF滤波器电路连接在所述电极与所述AC电源之间；以及

控制器，所述控制器被配置成在所述RF滤波器电路处监测在操作期间由所述RF功率源间接感应至所述电极中的RF电压，且被配置成基于所监测的所述RF电压确定在所述处理体积中的处理状态。

2.如权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所述RF滤波器电路连接至所述AC电源的AC电源供应器传输线路，且包含：

电容耦合端口，所述电容耦合端口耦合至所述控制器，且被配置成将所述RF电压的测量结果提供至所述控制器；以及

电感器和电容器，所述电感器和电容器串联连接且被配置作为低通频率滤波器。

3.如权利要求1或2任一项所述的处理腔室，其特征在于，所述电容耦合端口被配置成提供约-40dB至约-47dB的电容耦合功率。

4.如权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所监测的RF电压为电压峰-峰。

5.如权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，所监测的RF电压为感应至所述电极中的所述RF电压的衰减的部分。

6.如权利要求1所述的处理腔室，其特征在于，在所述处理体积中的所述处理状态包含在所述处理体积中的等离子体状态。

7.如权利要求1、2或4至6任一项所述的处理腔室，其特征在于，所述电极为具有嵌入所述基板支撑件的陶瓷层中的多个电阻加热元件的电阻加热器。

8.一种在处理腔室的处理体积中监测处理条件的方法，包含以下步骤：

将射频(RF)功率从RF功率源供应至用于处理基板的所述处理体积；

在RF滤波器电路处监测由所述RF功率源间接感应至电极中的RF电压；以及

基于所述RF电压确定在所述处理体积中的处理状态。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述RF滤波器电路连接至被配置成将功率供应至所述处理腔室的AC电源的AC电源传输线路，且包含：

电容耦合端口，所述电容耦合端口耦合至所述处理腔室的控制器，且被配置成将所述RF电压的测量结果提供至所述控制器；以及

电感器和电容器，所述电感器和电容器串联连接，且被配置作为低通频率滤波器。

10.如权利要求8或9任一项所述的方法，其特征在于，所述电容耦合端口被配置成提供约-40dB至约-47dB的电容耦合功率。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，监测所述RF电压包含监测RF电压峰-峰。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述RF滤波器电路处的所述RF电压为感应至所述电极中的所述RF电压的衰减的部分。

13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述处理体积中的所述处理状态包含在所述处理体积中的等离子体状态。

14.如权利要求8、9或11至13任一项所述的方法，其特征在于，所述电极为具有嵌入所述处理腔室的基板支撑件的陶瓷层中的多个电阻加热元件的电阻加热器。