[发明专利]远紫外掩模吸收剂材料

说明书

公开了远紫外(EUV)掩模坯料、远紫外(EUV)掩模坯料制造方法及其生产系统。EUV掩模坯料包括基板；基板上的反射层的多层堆叠物；反射层的多层堆叠物上的覆盖层；和覆盖层上的吸收剂。吸收剂包括多个双层，双层包括硅的第一层和选自下方群组的第二层，群组由TaSb、CSb、TaNi、TaCu、SbN、CrN、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、Pt；TaSb、CSb、TaNi、TaCu、SbN、CrN、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、Pt的氧化物；和TaSb、CSb、TaNi、TaCu、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、和Pt的氮化物所组成。

技术领域

本公开内容一般地涉及远紫外光刻，且更具体地涉及具有包含第一层与第二层的吸收剂的远紫外掩模坯料和相移掩模和制造方法。

背景技术

远紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻，也称为软X射线投射平板印刷术，可用于制造0.0135微米与更小的最小特征结构尺寸的半导体装置。然而，远紫外光，通常在5至100纳米的波长范围中，实际上被所有的材料强力地吸收。因此，远紫外系统通过光的反射而非光的穿透来运作。通过使用一系列的镜、或透镜元件、和反射元件、或掩模坯料，这些元件被涂布有非反射吸收剂掩模图案，图案化的光化光(actinic light)反射到光阻涂布的半导体基板上。

远紫外光刻系统的透镜元件和掩模坯料被诸如钼和硅的反射多层涂层的材料所涂布。通过使用强烈地反射在极度狭窄的紫外线带通内的光(例如，对于13.5纳米的紫外光的12.5至14.5纳米带通)的多层涂层来涂布的基板，已经获得每个透镜元件或掩模坯料的约65％的反射值。

图1显示习知的EUV反射掩模10，EUV反射掩模10由EUV掩模坯料所形成，EUV掩模坯料包括基板14上的反射多层堆叠物12，反射多层堆叠物12通过布拉格干涉反射在未遮盖部分处的EUV辐射。通过蚀刻缓冲层18和吸收层20而形成习知的EUV反射掩模10的遮盖(非反射)区域16。吸收层通常具有在51nm至77nm范围中的厚度。覆盖层22形成在反射多层堆叠物12之上且在蚀刻处理期间保护反射多层堆叠物12。如将在之后进一步论述的，EUV掩模坯料由上方涂布有多层、覆盖层和吸收层的低热膨胀材料的基板所制成，此基板接着被蚀刻以提供遮盖(非反射)区域16和反射区域24。

国际半导体技术路线图(ITRS)指明节点覆盖要求为技术的最小半间距特征结构尺寸的某一百分比。由于在所有反射平板印刷系统中固有的影像布局与覆盖误差的影响，EUV反射掩模会需要依附于更精确平坦的规格以用于未来的生产。此外，EUV坯料对于在坯料的工作区域上的缺陷具有非常低的容限。另外，尽管吸收层的作用是吸收光，但由于吸收剂层的折射率与真空的折射率(n＝1)间的差异，也会有相移效应，且此相移导致3D掩模效应。有着提供具有缓和3D掩模效果的吸收剂的EUV掩模坯料的需求。

发明内容

本公开内容的一个或多个实施方式针对一种EUV掩模坯料，包含：基板；反射EUV辐射的多层堆叠物，该多层堆叠物包含多个反射层对；在反射UV辐射的该多层堆叠物上的覆盖层；和在覆盖层上的吸收剂，该吸收剂包含多个双层，该双层包含硅的第一层和选自群组的第二层，该群组由TaSb、CSb、TaNi、TaCu、SbN、CrN、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、和Pt；TaSb、CSb、TaNi、TaCu、SbN、CrN、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、与Pt的氧化物；和TaSb、CSb、TaNi、TaCu、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、和Pt的氮化物所组成。