[发明专利]远紫外掩模吸收剂材料

权利要求书

1.一种远紫外(EUV)掩模坯料，包含：

基板；

多层堆叠物，所述多层堆叠物反射EUV辐射，所述多层堆叠物包含多个反射层对；

覆盖层，在反射UV辐射的所述多层堆叠物上；和

吸收剂，在所述覆盖层上，所述吸收剂包含多个双层，所述双层包含硅的第一层和选自群组的第二层，所述群组由TaSb、CSb、TaNi、TaCu、SbN、CrN、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、Pt；TaSb、CSb、TaNi、TaCu、SbN、CrN、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、Pt的氧化物；和TaSb、CSb、TaNi、TaCu、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、和Pt的氮化物所组成。

2.如权利要求1所述的EUV掩模坯料，其中所述第二层包含TaSb。

3.如权利要求2所述的EUV掩模坯料，其中所述TaSb包含从约21.9重量％至约78.2重量％的范围的钽和从约21.8重量％至约78.1重量％的范围的锑。

4.如权利要求1所述的EUV掩模坯料，其中所述第二层选自Cr、Cr的氧化物和Cr的氮化物。

5.如权利要求4所述的EUV掩模坯料，其中所述吸收剂包含从3至40个双层。

6.如权利要求1所述的EUV掩模坯料，其中所述第二层包含TaNi。

7.如权利要求6所述的EUV掩模坯料，其中所述TaNi包含从约56.9重量％至约94.6重量％的范围的钽和从约5.4重量％至约43.1重量％的范围的镍。

8.如权利要求1所述的EUV掩模坯料，其中所述第二层包含CSb。

9.如权利要求8所述的EUV掩模坯料，其中所述CSb包含从约0.3重量％至约3.6重量％的范围的碳和从约96.4重量％至约99.7重量％的范围的锑，或从约5.0重量％至约10.8重量％的范围的碳和从约89.2重量％至约95.0重量％的范围的锑。

10.如权利要求1所述的EUV掩模坯料，其中所述吸收剂包含从3至40个双层。

11.一种制造远紫外(EUV)掩模坯料的方法，包含以下步骤：

在基板上形成多层堆叠物，所述多层堆叠物反射EUV辐射，所述多层堆叠物包含多个反射层对；

在所述多层堆叠物上形成覆盖层；和

在所述覆盖层上形成吸收剂，所述吸收剂包含多个双层，所述双层包含硅的第一层和选自群组的第二层，所述群组由TaSb、CSb、TaNi、TaCu、SbN、CrN、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、Pt；TaSb、CSb、TaNi、TaCu、SbN、CrN、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、Pt的氧化物；和TaSb、CSb、TaNi、TaCu、Cr、Ir、Pd、Re、Os、Cd、Co、Ag、和Pt的氮化物所组成。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述第二层包含TaSb。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述TaSb包含从约21.9重量％至约78.2重量％的范围的钽和从约21.8重量％至约78.1重量％的范围的锑。

14.如权利要求11所述的方法，其中所述第二层选自Cr、Cr的氧化物和Cr的氮化物。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述吸收剂包含从3至40个双层。

16.如权利要求11所述的方法，其中所述第二层包含TaNi。