[发明专利]透明导电性薄膜

说明书

本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备透明基材(10)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)含有氪。透光性导电层(20)中的压缩残余应力小于490MPa。

技术领域

本发明涉及透明导电性薄膜。

背景技术

以往，沿着厚度方向依次具备透明的基材薄膜和透明的导电层(透光性导电层)的透明导电性薄膜是已知的。透光性导电层被用作例如用于对液晶显示器、触摸面板和光传感器等各种设备中的透明电极进行图案形成的导体膜。另外，透光性导电层有时也被用作设备所具备的抗静电层。透光性导电层通过例如利用溅射法在基材薄膜上对导电性氧化物进行成膜来形成。在该溅射法中，以往作为用于撞击靶(成膜材料供给材料)而使靶表面的原子弹出的溅射气体，使用氩气等非活性气体。关于这种透明导电性薄膜的相关技术，在例如下述专利文献1中有所记载。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-334924号公报

发明内容

发明要解决的问题

对透明导电性薄膜的透光性导电层要求低电阻。尤其是对于透明电极用途的透明导电性薄膜而言，该要求高。另外，对透明导电性薄膜还要求不易发生翘曲。

本发明提供对于实现透光性导电层的低电阻化且抑制薄膜的翘曲而言适合的透明导电性薄膜。

用于解决问题的方案

本发明[1]包括一种透明导电性薄膜，其沿着厚度方向依次具备透明基材和透光性导电层，前述透光性导电层含有氪，前述透光性导电层在与前述厚度方向正交的面内方向上具有小于490MPa的压缩残余应力。

本发明[2]包括上述[1]所述的透明导电性薄膜，其中，前述透光性导电层的面内方向的平均晶界数小于12个/μm。

本发明[3]包括上述[1]或[2]所述的透明导电性薄膜，其中，前述透光性导电层含有含铟的导电性氧化物。

本发明[4]包括上述[1]～[3]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述透光性导电层不含氙。

本发明[5]包括上述[1]～[4]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述透光性导电层具有2.2×10^-4Ω·cm以下的电阻率。

本发明[6]包括上述[1]～[5]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述透光性导电层具有30nm以上的厚度。

发明的效果

本发明的透明导电性薄膜由于透明基材上的透光性导电层含有氪，且该透光性导电层在其面内方向上具有小于490MPa的压缩残余应力，因此，对于实现透光性导电层的低电阻化且抑制该薄膜的翘曲而言是适合的。

附图说明

图1是本发明的透明导电性薄膜的一个实施方式的截面示意图。

图2是本发明的透明导电性薄膜的变形例的截面示意图。图2的A表示透光性导电层从透明基材侧起依次包含第一区域和第二区域的情况。图2的B表示透光性导电层从透明基材侧起依次包含第二区域和第一区域的情况。

图3表示图1中示出的透明导电性薄膜的制造方法。图3的A表示准备透明树脂薄膜的工序，图3的B表示在透明树脂薄膜上形成功能层的工序，图3的C表示在功能层上形成透光性导电层的工序，图3的D表示透光性导电层的结晶化工序。

图4表示图1中示出透明导电性薄膜中的透光性导电层进行了图案化的情况。