[发明专利]透明导电性薄膜在审
| 申请号： | 202180022465.5 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN115298022A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 藤野望;鸦田泰介 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | B32B7/025 | 分类号： | B32B7/025;B32B9/00;B32B9/04;H01B5/14;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/34;H01Q1/52;H05K9/00;B32B7/00;B32B7/022;B32B7/023;G02F1/1333;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种透明导电性薄膜，其沿着厚度方向依次具备透明基材和透光性导电层，
所述透光性导电层含有氪，
所述透光性导电层在与所述厚度方向正交的面内方向上具有小于490MPa的压缩残余应力。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透光性导电层的面内方向的平均晶界数小于12个/μm。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述透光性导电层含有含铟的导电性氧化物。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述透光性导电层不含氙。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述透光性导电层具有2.2×10-4Ω·cm以下的电阻率。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述透光性导电层具有30nm以上的厚度。
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