[发明专利]透明导电性薄膜

说明书

本发明的透明导电性薄膜(X)沿着厚度方向(D)依次具备树脂薄膜(11)和透光性导电层(20)。透光性导电层(20)在与厚度方向(D)正交的面内第一方向具有第一压缩残留应力，且在与厚度方向(D)和面内第一方向分别正交的面内第二方向具有比第一压缩残留应力小的第二压缩残留应力。第二压缩残留应力相对于第一压缩残留应力的比率为0.82以下。

技术领域

本发明涉及透明导电性薄膜。

背景技术

以往，沿着厚度方向依次具备透明的基材薄膜和透明的导电层(透光性导电层)的透明导电性薄膜是已知的。透光性导电层被用作例如用于对液晶显示器、触摸面板和光传感器等各种设备中的透明电极进行图案形成的导体膜。另外，透光性导电层有时也被用作设备所具备的抗静电层。透光性导电层通过例如利用溅射法在树脂制的基材薄膜上将导电性氧化物成膜来形成。在该溅射法中，以往作为用于撞击靶(成膜材料供给材料)而使靶表面的原子弹出的溅射气体，使用氩气等非活性气体。关于这种透明导电性薄膜的相关技术，在例如下述专利文献1中有所记载。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平5-334924号公报

发明内容

发明要解决的问题

在透明导电性薄膜的制造过程中，有时采用在基材薄膜上形成非晶质的透光性导电层后，将该透光性导电层加热而使其转化为结晶质的方法。在该情况下，结晶化工艺的加热温度越高，则形成的结晶质透光性导电层的电阻值容易变得越小。

另一方面，透明导电性薄膜具备树脂制基材薄膜，因此，若结晶化工艺中的加热温度过高，则会因树脂制基材薄膜的尺寸变化等而发生各种不良情况(例如透光性导电层的碎裂)。若为了避免这种不良情况而抑制结晶化工艺中的加热温度，则对于形成的结晶质透光性导电层而言，有时其电阻值不会呈现充分小的值。具有这种透光性导电层的透明导电性薄膜在具备该薄膜的装置等的制造过程中历经加热工艺时，有时透明导电性薄膜的透光性导电层的电阻值发生变动(例如降低)。制造后的透明导电性薄膜中的透光性导电层的电阻值变动是不优选的。

本发明提供对于抑制透光性导电层的之后的电阻值变动而言适合的透明导电性薄膜。

用于解决问题的方案

本发明[1]包括一种透明导电性薄膜，其沿着厚度方向依次具备透明树脂基材和透光性导电层，前述透光性导电层在与前述厚度方向正交的面内第一方向具有第一压缩残留应力，且在与前述厚度方向和前述面内第一方向分别正交的面内第二方向具有比前述第一压缩残留应力小的第二压缩残留应力，前述第二压缩残留应力相对于前述第一压缩残留应力的比率为0.82以下。

本发明[2]包括上述[1]所述的透明导电性薄膜，其中，前述透光性导电层含有氪。

本发明[3]包括上述[1]或[2]所述的透明导电性薄膜，其中，前述透明树脂基材不与玻璃基材邻接。

本发明[4]包括上述[1]～[3]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述透光性导电层具有小于2.2×10^-4Ω·cm的电阻率。

本发明[5]包括上述[1]～[4]中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，前述透光性导电层具有100nm以上的厚度。

发明的效果

本发明的透明导电性薄膜中，透光性导电层在面内第一方向具有第一压缩残留应力，在与面内第一方向正交的面内第二方向具有比第一压缩残留应力小的第二压缩残留应力，且第二压缩残留应力相对于第一压缩残留应力的比率为0.82以下。因此，本发明的透明导电性薄膜对于使透光性导电层抑制透光性导电层的之后的电阻值变动而言是适合的。