[发明专利]透明导电性薄膜在审
| 申请号： | 202180021801.4 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN115315758A | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 藤野望;鸦田泰介 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;B32B9/04;B32B9/00;H01L31/0224;H01B5/16;H01B13/00;C23C14/08;C23C14/20;C23C14/34;H01Q1/38;H01Q1/52;H05K9/00;B32B7/00;B32B7/022 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种透明导电性薄膜，其沿着厚度方向依次具备透明树脂基材和透光性导电层，
所述透光性导电层在与所述厚度方向正交的面内第一方向具有第一压缩残留应力，且在与所述厚度方向和所述面内第一方向分别正交的面内第二方向具有比所述第一压缩残留应力小的第二压缩残留应力，
所述第二压缩残留应力相对于所述第一压缩残留应力的比率为0.82以下。
2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透光性导电层含有氪。
3.根据权利要求1或2所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明树脂基材不与玻璃基材邻接。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述透光性导电层具有小于2.2×10-4Ω·cm的电阻率。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的透明导电性薄膜，其中，所述透光性导电层具有100nm以上的厚度。
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