[发明专利]将射频(RF)信号与处理室的输入信号导体去耦

说明书

一种将RF信号从处理室的输入信号导体去耦的装置包括至少第一开关，以将能量存储元件与处理站内的有源元件去耦。在特定实施方案中，当第一开关处于断开位置时，位于电流发生器和能量存储元件之间的第二开关闭合，从而允许电流发生器对能量存储元件充电。响应于能量存储元件达到预定电压，第一开关可以闭合，第二开关可以断开，从而允许电流从能量存储元件放电到有源元件。在某些实施方案中，不允许第一和第二开关同时在闭合位置操作，从而防止RF从处理站耦合到电流发生器。

通过引用并入

PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

背景技术

在晶片制造工艺过程中，例如在使用多站集成电路制造室蚀刻沉积在衬底上的膜的过程中，一个或多个射频(RF)信号可以耦合到室的处理站。将足够能量的RF信号耦合到处理站可以导致或增强电离等离子体材料的形成。电离的等离子体材料可用于从半导体晶片的选定位置去除或蚀刻材料。然而，在某些情况下，高能射频信号会侵入和/或干扰制造室的其他子系统和/或部件。在一些情况下，RF能量的这种侵入和/或干扰会降低制造室或与制造室结合使用的仪器的操作。在其他情况下，射频能量的侵入可能代表RF能量的寄生损失。在这些情况下，虽然RF能量的寄生损失可能仅占RF信号发生器产生的总能量的一小部分，但这种寄生损失代表RF能量的非生产性消耗。因此，减少射频能量寄生损耗的方法仍然是活跃的研究领域。

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

发明内容

权利要求的一般方面包括一种将信号耦合到处理室的装置，其包括一个或多个第一开关，其位于至少一个能量存储设备和所述处理室的至少一个有源元件之间，并且操作或被配置为控制在至少一个能量存储设备和所述处理室的所述至少一个有源元件之间传导的第一电流。所述装置还包括一个或多个第二开关，其位于所述至少一个能量存储设备和一个或多个电流发生器之间，以控制所述一个或多个电流发生器和所述至少一个能量存储设备之间的电流传导。

上述装置还可以包括一个或多个射频(RF)滤波器，所述一个或多个RF滤波器中的每一个可以与所述一个或多个第一开关中的对应开关布置成串联关系。所述一个或多个RF滤波器可以在约400kHz和/或约27.12MHz下提供至少约20dB的信号衰减。所述至少一个能量存储设备可以包括电容器。所述装置的电容器可以包括从约1mF到约100mF的电容。所述至少一个能量存储设备可以包括电感器。所述装置的所述电感器范围可以从约1mH到约100mH。所述装置还可以包括变压器，所述变压器被配置为增加来自所述至少一个能量存储设备的电压。所述装置还可以包括控制器，其耦合到所述至少一个能量存储设备以修改所述至少一个能量存储设备的电容或电感的值。所述能量存储设备可以包括以并联关系布置的2个或更多个能量存储设备。所述处理室的所述至少一个有源元件可以包括电阻加热元件。所述处理室的所述至少一个有源元件可以包括微波信号发生器、紫外光源、红外光源或它们的任何组合。所述一个或多个第一开关、RF滤波器、所述能量存储设备和所述一个或多个第二开关可以与所述一个或多个电流发生器串联布置。所述装置还可以包括控制器，所述控制器被配置为防止所述一个或多个第一开关和所述一个或多个第二开关同时闭合。

在一个或多个另外的方面，一种控制器可以操作以控制一个或多个第一开关和一个或多个第二开关的切换，该控制器可以包括处理器，其耦合到存储器，以引导位于至少一个能量存储设备和处理室的至少一个有源元件之间的所述一个或多个第一开关的断开。所述处理器还可以用于在断开一个或多个第二开关之后或同时引导所述一个或多个第一开关的闭合，所述一个或多个第二开关位于所述至少一个能量存储设备和一个或多个电流发生器之间。