[发明专利]陶瓷板及其制造方法在审
| 申请号： | 202180007646.0 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN114845976A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 山县利贵;山口满博;东里树 | 申请（专利权）人： | 电化株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/587 | 分类号： | C04B35/587 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 牛蔚然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.陶瓷板，其为含有氮化硅及YMgSi2O5N的陶瓷板，通过X射线衍射法对表面的组成进行定量分析时，以总量为基准，所述YMgSi2O5N的含有率的最大值低于8.0质量％。
2.如权利要求1所述的陶瓷板，其还含有Y8Si4N4O14及Y2Si3O3N4，通过X射线衍射法对表面的组成进行定量分析时，以总量为基准，所述Y8Si4N4O14及所述Y2Si3O3N4的合计含有率低于4.0质量％。
3.如权利要求1或2所述的陶瓷板，其还含有Y8Si4N4O14及Y2Si3O3N4，通过X射线衍射法对表面的组成进行定量分析时，所述Y8Si4N4O14及所述Y2Si3O3N4的合计量相对于所述YMgSi2O5N、所述Y8Si4N4O14及所述Y2Si3O3N4的合计量而言的比为0.250以上。
4.陶瓷板的制造方法，其包括将含有氮化硅、二氧化硅、氧化镁及氧化钇的生片进行加热处理的工序，
以所述生片的总量为基准，所述二氧化硅的含量为0.90质量份以上，
所述加热处理在1400～1800℃的升温速度为0.50℃/分钟以下。
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