[发明专利]显示设备在审
申请号: | 202180007491.0 | 申请日: | 2021-09-03 |
公开(公告)号: | CN114916244A | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | 郑颂利;金澔成 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,包括:
基板;
设置在所述基板上的多个子像素;
设置在所述多个子像素中的多个阳极;
设置成覆盖所述多个阳极的端部的隔堤;
设置在所述多个阳极和所述隔堤上的有机层;
设置在所述有机层上的阴极;
设置在所述隔堤上以使所述有机层具有台阶的第一图案;以及
设置在所述有机层与所述阴极之间以使所述阴极的台阶小于所述有机层的台阶的第二图案。
2.如权利要求1所述的显示设备,其中所述第一图案是设置在所述隔堤中的沟槽,
所述第二图案设置在所述沟槽中。
3.如权利要求2所述的显示设备,其中所述第二图案的上表面高度低于所述有机层的最上部高度。
4.如权利要求2所述的显示设备,其中所述第二图案的上表面高度等于所述有机层的最上部高度。
5.如权利要求1所述的显示设备,其中所述第一图案具有设置在所述隔堤上的倒锥形状,
所述第二图案设置在所述隔堤上,以便围绕所述第一图案。
6.如权利要求5所述的显示设备,其中所述第二图案的上表面高度低于所述有机层的最上部高度。
7.如权利要求5所述的显示设备,其中所述第二图案的上表面高度等于所述有机层的最上部高度。
8.如权利要求1所述的显示设备,其中形成所述第二图案的材料的沉积温度是0℃到500℃。
9.如权利要求1所述的显示设备,其中所述有机层包括电子传输层,
所述第二图案的LUMO能级比所述电子传输层的LUMO能级高0.3eV或更多。
10.如权利要求1所述的显示设备,其中所述第二图案的载流子迁移率是10-5cm2/Vs或更小。
11.如权利要求1所述的显示设备,其中所述第二图案由以下任一材料形成:亚芳基二胺衍生物、三胺衍生物、CBP(4,4'-双(咔唑-9-基)联苯)、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Alq3(三(8-羟基喹啉基)铝)、TPBI(2,2',2-(1,3,5-苯并三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)),PBD(2-(4-联苯)-5)-(4-叔丁基苯基)-1,3,4恶二唑)、DTBT(二噻吩基苯并噻二唑)、吡唑啉以及咔唑。
12.一种显示设备,包括:
基板,所述基板上设置有多个子像素;
设置在所述多个子像素中的多个发光元件,所述发光元件包括阳极、有机层和阴极;
设置在所述多个子像素之间的隔堤;
第一图案,所述第一图案设置在所述隔堤上,并且具有与所述隔堤的上表面处于不同高度的最上部或最下部;以及
第二图案,所述第二图案以对应于所述第一图案的形状设置在所述隔堤上,
其中所述有机层和所述阴极设置在所述第一图案上,
其中所述第二图案插入所述有机层与所述阴极之间,并且被配置成局部地将所述有机层与所述阴极相互分离。
13.如权利要求12所述的显示设备,其中所述第一图案具有沟槽的形状,所述沟槽具有从所述隔堤的上表面延伸的多个倾斜表面,
所述第二图案设置在所述多个倾斜表面之间。
14.如权利要求12所述的显示设备,其中所述第一图案设置在所述隔堤上,并且具有下表面小于上表面的倒锥形状,
所述第二图案以与所述第一图案的侧表面形状相对应的形状设置在所述隔堤上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202180007491.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:活性气体生成装置
- 下一篇:一种基于数据处理系统的数据处理方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的