[发明专利]有源低功率终端在审

专利信息
申请号: 202180006688.2 申请日: 2021-05-25
公开(公告)号: CN114730587A 公开(公告)日: 2022-07-08
发明(设计)人: J·T·孔特雷拉斯;R·A·扎凯;S·拉金德兰;V·P·拉马钱德拉 申请(专利权)人: 西部数据技术公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C5/04;G11C5/06;G11C5/14
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 余娜;刘芳
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有源 功率 终端
【说明书】:

本发明公开了一种有源终端电路,其包括连接到传输线的输入节点、第一晶体管和第二晶体管。该传输线向该输入节点提供信号。该第一晶体管是连接在高电压源和该输入节点之间的二极管。当该信号处于低逻辑电平时,该第一晶体管终止该信号。该第二晶体管是连接在该输入节点和低电压源之间的二极管。当该信号处于高逻辑电平时,该第二晶体管终止该信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求2021年2月26日提交的美国申请号17/187,308的优先权,该专利申请要求2020年8月13日提交的美国临时专利申请序列号63/065,103的权益,这两个专利申请据此以引用方式并入本文。

背景技术

便携式消费电子器件需求的强劲增长推动了对高容量存储设备的需求。非易失性半导体存储器设备,诸如闪存存储卡,已广泛用于满足对数字信息存储和交换的日益增长的需求。它们的便携性、多功能性和坚固耐用的设计以及它们的高可靠性和大容量,使得此类存储器设备理想地用于多种电子设备中,包括例如数字相机、数字音乐播放器、视频游戏控制器、PDA、蜂窝电话和固态驱动器。

半导体存储器设备通常由SiP(系统级封装)设备形成,该设备包括安装在衬底上的偏移堆叠中的多个存储器裸片。半导体裸片可使用固定到每个裸片的引线接合彼此电耦合并且电耦合到衬底,沿着裸片堆叠向下级联。人们对高性能低功耗的要求越来越高。引线接合和其它电子封装具有固有寄生电容。尽管寄生电容水平一直在降低,但这种降低仍跟不上针对更快的数据吞吐速率的不断增长的带宽要求。如今,这种带宽限制受到寄生电容的限制。典型的解决方案恢复为使用较低阻抗的接收器终端,但是当使用无源电阻终端时,这种较低的终端阻抗会增加功耗。引线接合和其他电子封装可受益于使用较低接收器终端阻抗而不显著增加功耗的解决方案。

一些这样的解决方案采用实现反馈回路和有源偏置的有源终端电路、电流镜和附加的电流源。这些特征可占用比在裸片终端中使用更多的面积。因此,需要一种解决方案,以在占用集成电路内尽可能小的空间的同时提供有源终端的益处。

发明内容

本公开涉及一种有源终端电路,包括连接到传输线的输入节点、第一晶体管和第二晶体管。传输线被配置为向输入节点提供信号。第一晶体管是连接在高电压源和输入节点之间的二极管。第一晶体管被配置为当信号处于低逻辑电平时终止信号。第二晶体管是连接在输入节点和低电压源之间的二极管。第二晶体管被配置为当信号处于高逻辑电平时终止信号。

“高电压源”是指用于在正常操作期间操作电路的电压电平的来源。在某些实施方案中,高电压源可由符号Vdd或Vccq表示。“低电压源”是指用作接地或用于将电信号接地的结构或连接或部件。在某些实施方案中,低电压源可由符号G、GND、Vss或倒三角形表示。

“高逻辑电平”是指用于表示二进制数据和/或二进制信号的两个可能的逻辑电平中的一者。通常,高逻辑电平表示二进制值“1”。“低逻辑电平”是指用于表示二进制数据和/或二进制信号的两个可能的逻辑电平中的一者。通常,低逻辑电平表示二进制值“O”。

本公开还涉及一种系统,该系统包括安装在印刷电路板上的第一集成电路和第二集成电路、互连件和有源终端电路。互连件被配置为作为在第一集成电路和第二集成电路之间传输信号的传输线进行操作。有源终端电路形成在第一集成电路或第二集成电路内,并且包括上述用于本文公开的有源终端电路的特征。

最后,本公开涉及一种用于校准有源终端电路的方法,该有源终端电路包括:连接在高电压源和输入节点之间的NMOS晶体管二极管以及连接在输入节点和低电压源之间的PMOS晶体管二极管。首先,接收有源终端电路的目标输入阻抗范围(Rin)。当施加到输入节点的输入电流(Ln)在高逻辑电平和低逻辑电平之间转换时,测量输入阻抗。然后确定所测量的输入阻抗是否落入目标输入阻抗范围内。最后,响应于输入阻抗落入目标输入阻抗范围之外,校准NMOS晶体管和PMOS晶体管中的一个晶体管的强度。

附图说明

类似编号的元件是指不同的图中的共同部件。

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