[发明专利]块状氮化硼颗粒及其制造方法

说明书

块状氮化硼颗粒的制造方法，其具备：氮化工序，对包含碳化硼的颗粒进行氮化，得到包含碳氮化硼的颗粒；和脱碳工序，对包含碳氮化硼的颗粒进行脱碳，得到块状氮化硼颗粒，在氮化工序中，以在包含碳氮化硼的颗粒的内部残留有碳化硼的方式进行氮化，在脱碳工序中，将在包含碳氮化硼的颗粒的内部残留的碳化硼除去。

技术领域

本发明涉及块状氮化硼颗粒及其制造方法。

背景技术

在功率器件、晶体管、晶闸管、CPU等电子零件中应用散热部件，该散热部件用于高效地对使用时产生的热进行散热。散热部件例如含有热传导率高的陶瓷颗粒。作为陶瓷颗粒，具有高热传导率、高绝缘性、低相对介电常数等特性的氮化硼颗粒受到关注。

作为氮化硼颗粒的制造方法已知多种方法。作为该制造方法的一种，能够举出下述方法：将三氧化二硼(无水硼酸)和/或其前体混合于在氮气氛围中对碳化硼进行烧制后的生成物，并进行烧制而将副产碳除去(例如参见专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-308360号公报

发明内容

发明要解决的课题

在上述方法中，例如，在对碳化硼进行氮化时，如专利文献1所记载，必须赋予充分的温度及时间和氮分压，但为了更高效地制造氮化硼颗粒，希望工艺简化。另一方面，必须避免由于工艺简化而损害对氮化硼颗粒所要求的热传导率这一特性。

因而，本发明的一方面的目的在于更加简单地制造具有与以往同等的热传导率的氮化硼颗粒。

用于解决课题的手段

本申请的发明人深入研究后发现，在对碳化硼颗粒进行氮化得到碳氮化硼颗粒时，即使在碳氮化硼颗粒的内部残留有碳化硼，最终得到的氮化硼颗粒的热传导率也与以往是同等的。也就是说，由于即使碳化硼颗粒的氮化不充分也不会对最终得到的氮化硼颗粒的热传导率带来不良影响，因此能够简化对碳化硼颗粒进行氮化的工序(例如，在氮化时的温度及压力相同的情况下能够缩短氮化所需的时间)。

本发明的一方面为块状氮化硼颗粒的制造方法，其具备：氮化工序，其中，对包含碳化硼的颗粒进行氮化，得到包含碳氮化硼的颗粒；和脱碳工序，其中，对包含碳氮化硼的颗粒进行脱碳，得到块状氮化硼颗粒，在氮化工序中，以在包含碳氮化硼的颗粒的内部残留有碳化硼的方式进行氮化，在脱碳工序中，将在包含碳氮化硼的颗粒的内部残留的碳化硼除去。

也可以是，包含碳氮化硼的颗粒中的碳化硼的残留比例为5％以上。

也可以是，在氮化工序中，进行氮化时的温度为2000℃以下。

也可以是，在氮化工序中，进行氮化时的压力为0.9MPa以下。

也可以是，在氮化工序中，进行氮化的时间为35小时以下。

本发明的另一方面也可以是块状氮化硼颗粒，其具备：由氮化硼的一次颗粒的聚集体形成的外壳部；和被外壳部包围的中空部。

也可以是，块状氮化硼颗粒具有中空部的面积比例为10％以上的截面。

发明效果

根据本发明的一方面，能够更加简单地制造具有与以往同等的热传导率的氮化硼颗粒。

附图说明

图1是实施例1的块状氮化硼颗粒的截面的SEM像。

图2是实施例2的块状氮化硼颗粒的截面的SEM像。

图3是实施例3的块状氮化硼颗粒的截面的SEM像。

图4是比较例1的块状氮化硼颗粒的截面的SEM像。

具体实施方式