[实用新型]电池及光伏组件有效

专利信息
申请号: 202123347464.4 申请日: 2021-12-28
公开(公告)号: CN216624298U 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 李硕;李兵;吴坚;蒋方丹 申请(专利权)人: 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/0224
代理公司: 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 代理人: 张强
地址: 314000 浙江省嘉兴市秀*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电池 组件
【说明书】:

实用新型公开了一种电池及光伏组件,电池包括:硅衬底,硅衬底正面设置有绒面,背面设置有绒面区和光面区,绒面区相对光面区凹陷设置,光面区所在平面的高度与绒面区的顶部差值为h1,h1满足关系式:1um≤h1≤5um;第一导电膜层和第二导电膜层;第二金属电极,第二金属电极设置于第二导电膜层背面,第二金属电极包括:主栅线,主栅线平行分布设置于硅衬底背面的绒面区,且主栅线对应的绒面区的宽度大于主栅线的宽度。绒面区可以增强硅衬底的附着力,向焊带施加拉力后,焊带不易将第二金属电极拉脱落,提升电池整体的可靠性,主栅线完全设置于主栅线对应的绒面区,保证主栅线与硅衬底之间的连接稳定性和可靠性。

技术领域

本实用新型涉及电池技术领域,尤其是涉及一种电池及光伏组件。

背景技术

目前,传统的异质结电池是双面绒面结构,其制作流程包括制绒、PECVD(等离子体增强化学的气相沉积法)镀非晶硅层、PVD(物理气相沉积)沉积导电膜层、丝网印刷和测试分选五个步骤,工艺流程简单,良率高,逐渐成为未来商业电池发展的主力。得益于良好的表面钝化与高导电性能的导电膜层,异质结电池具有高开压,高填充的特性,但是受限于导电膜层与非晶硅层的高吸收,以及背面绒面内反射低的特性,电流低对于异质结电池提效的影响越来越大。

相关技术中,将异质结电池背面制作成光面区,提高光的内反射率,增强硅衬底对长波的吸收,从而提升电池电流。但是,抛光的硅衬底表面过于平坦,丝网印刷形成的金属电极与硅衬底表面的接触面积小,附着力小,造成金属电极与导电膜层间的接触电阻率大,而且金属电极与导电膜层的附着力因表面粗糙度的减小而减弱,给焊带施加拉力后,焊带会带着金属电极从电池表面脱落,从而使焊带拉力小,影响电池性能与封装后电池的可靠性。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出了一种电池,该电池可以提升主栅线与硅衬底之间的连接强度,焊带不易将第二金属电极从硅衬底上拉脱落,提升电池整体的可靠性。

本实用新型进一步地提出了一种光伏组件。

根据本实用新型的电池,包括:硅衬底,所述硅衬底具有正面和背面,所述正面设置有绒面,所述背面设置有绒面区和光面区,所述绒面区相对所述光面区凹陷设置,所述光面区所在平面的高度与所述绒面区的顶部差值为h1,h1满足关系式:1um≤h1≤5um;第一非晶硅层和第二非晶硅层,所述第一非晶硅层包括:第一本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层,所述第一本征非晶硅层设置于所述硅衬底的正面,所述第一掺杂非晶硅层设置于所述第一本征非晶硅层的正面,所述第二非晶硅层包括:第二本征非晶硅层和第二掺杂非晶硅层,所述第二本征非晶硅层设置于所述硅衬底的背面,所述第二掺杂非晶硅层设置于所述第二本征非晶硅层的背面;第一导电膜层和第二导电膜层,所述第一导电膜层设置于所述第一非晶硅层的正面,所述第二导电膜层设置于所述第二非晶硅层的背面;以及第一金属电极和第二金属电极,所述第一金属电极设置于所述第一导电膜层的正面,所述第二金属电极设置于所述第二导电膜层的背面,所述第二金属电极包括:主栅线,所述主栅线平行分布设置于所述硅衬底背面的绒面区,且所述主栅线对应的所述绒面区的宽度大于所述主栅线的宽度。

根据本实用新型的电池,将主栅线设置于绒面区,而绒面区可以增强硅衬底的附着力,从而可以提升主栅线与硅衬底之间的连接强度,又主栅线与焊带之间存在连接关系,在向焊带施加拉力后,焊带不易将第二金属电极从硅衬底上拉脱落,进而可以提升电池整体的可靠性,另外,主栅线能够完全设置于主栅线对应的绒面区,从而可以保证主栅线与硅衬底之间的连接稳定性和可靠性。

在本实用新型的一些示例中,所述主栅线对应的所述绒面区的宽度为d1,所述主栅线的宽度为d2,d1和d2满足关系式:100um≤d1≤2000um,50um≤d2≤1000um。

在本实用新型的一些示例中,d2满足关系式:50um≤d2≤300um。

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