[实用新型]电池及光伏组件有效
申请号: | 202123347464.4 | 申请日: | 2021-12-28 |
公开(公告)号: | CN216624298U | 公开(公告)日: | 2022-05-27 |
发明(设计)人: | 李硕;李兵;吴坚;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 | 代理人: | 张强 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市秀*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池 组件 | ||
1.一种电池,其特征在于,包括:
硅衬底,所述硅衬底具有正面和背面,所述正面设置有绒面,所述背面设置有绒面区和光面区,所述绒面区相对所述光面区凹陷设置,所述光面区所在平面的高度与所述绒面区的顶部差值为h1,h1满足关系式:1um≤h1≤5um;
第一非晶硅层和第二非晶硅层,所述第一非晶硅层包括:第一本征非晶硅层和第一掺杂非晶硅层,所述第一本征非晶硅层设置于所述硅衬底的正面,所述第一掺杂非晶硅层设置于所述第一本征非晶硅层的正面,所述第二非晶硅层包括:第二本征非晶硅层和第二掺杂非晶硅层,所述第二本征非晶硅层设置于所述硅衬底的背面,所述第二掺杂非晶硅层设置于所述第二本征非晶硅层的背面;
第一导电膜层和第二导电膜层,所述第一导电膜层设置于所述第一非晶硅层的正面,所述第二导电膜层设置于所述第二非晶硅层的背面;以及
第一金属电极和第二金属电极,所述第一金属电极设置于所述第一导电膜层的正面,所述第二金属电极设置于所述第二导电膜层的背面,所述第二金属电极包括:主栅线,所述主栅线平行分布设置于所述硅衬底背面的绒面区,且所述主栅线对应的所述绒面区的宽度大于所述主栅线的宽度。
2.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述主栅线对应的所述绒面区的宽度为d1,所述主栅线的宽度为d2,d1和d2满足关系式:100um≤d1≤2000um,50um≤d2≤1000um。
3.根据权利要求2所述的电池,其特征在于,d2满足关系式:50um≤d2≤300um。
4.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述主栅线对应的所述绒面区的宽度和所述主栅线的宽度差值为△d1,△d1满足关系式:△d1>40um。
5.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述第二金属电极还包括:副栅线,所述副栅线与所述主栅线相连接,所述副栅线设置于所述绒面区。
6.根据权利要求5所述的电池,其特征在于,所述绒面区包括:多个第一子绒面区和多个第二子绒面区,多个所述第一子绒面区在第一方向上间隔分布且多个所述第二子绒面区在与所述第一方向垂直的第二方向上间隔分布,相邻的所述第一子绒面区和所述第二子绒面区之间设置有所述光面区,所述主栅线和所述副栅线均为多个,多个所述主栅线设置于所述第一子绒面区,多个所述副栅线设置于所述第二子绒面区。
7.根据权利要求6所述的电池,其特征在于,所述第二子绒面区的宽度大于所述副栅线的宽度。
8.根据权利要求7所述的电池,其特征在于,所述第二子绒面区的宽度为d3,所述副栅线的宽度为d4,d3和d4满足关系式:80um≤d3≤300um,20um≤d4≤60um。
9.根据权利要求6所述的电池,其特征在于,所述第二子绒面区和所述副栅线的宽度差值为△d2,△d2满足关系式:△d2>40um。
10.根据权利要求6所述的电池,其特征在于,所述主栅线对应设置于所述第一子绒面区的宽度方向中部,所述副栅线对应设置于所述第二子绒面区的宽度方向中部。
11.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述第一导电膜层和所述第二导电膜层为ITO层。
12.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述硅衬底的厚度为h2,所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层的厚度均为h3,所述第一导电膜层和所述第二导电膜层的厚度均为h4,h2、h3和h4满足关系式:90um≤h2≤200um,5nm≤h3≤15nm,50nm≤h4≤120nm。
13.根据权利要求1所述的电池,其特征在于,所述硅衬底背面设置有激光开槽,所述绒面区设置于所述激光开槽内。
14.一种光伏组件,其特征在于,包括:权利要求1-13中任一项所述的电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的