[实用新型]一种磨削主轴坐标测量机构

说明书

本实用新型提供了一种磨削主轴坐标测量机构，所述磨削主轴的边缘一圈设置金刚石砂轮座，所述砂轮座的底面设置一圈金刚石砂轮牙齿，所述金刚石砂轮牙齿用于磨削真空吸盘台面上的晶圆，所述测量机构包括：用于获得磨削主轴的基准Z轴坐标的标准块规；固定设置于固定座上并位于磨削主轴下方的检测传感器，所述检测传感器还具有传感器伸缩头，所述传感器伸缩头位于所述金刚石砂轮牙齿的正下方，用于检测磨削主轴的金刚石砂轮位置数据；以及计算单元，所述计算单元与所述检测传感器连接，用于计算获得所述磨削主轴的当前Z轴坐标。本实用新型可快速确定磨削主轴新的基准Z轴坐标数据，能够节省时间，提高效率，并且操作简单。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种磨削主轴坐标测量机构。

背景技术

半导体硅晶圆是制造半导体器件的基础性原材料。高纯度的半导体经过拉晶、切片等工序制备成为晶圆，晶圆经过一系列半导体制造工艺形成极微小的电路结构，再经减薄、切割、封装、测试成为芯片，广泛应用到各类电子设备中，其中晶圆减薄就是很重要的一环。

为了提高半导体芯片的电性能等要求，需要对半导体晶圆实施背面减薄，完成这项工艺的装置就是晶圆减薄机。晶圆减薄机通常包括磨削主轴、真空吸盘台面等部件。晶圆减薄前，先在上下料位置将晶圆放在真空吸盘台面上，再将台面移动至磨削主轴下方，磨削主轴下降对晶圆进行磨削减薄，磨削完成后磨削主轴上升至待机位置(砂轮下缘距离真空吸盘台面20mm)，台面移动至上下料位置。

为了提高减薄硅片效率，磨削时需要把磨削主轴高速(300mm/min)下降到尽可能靠近晶圆(一般为30-50um)后，再用减薄工艺速度(50um/min)进行减薄硅片，这个时候对磨削主轴的Z轴坐标(即磨削主轴上的金刚石砂轮下缘距离真空吸盘台面的距离值)的精确度要求就很严格，坐标有误差可能会造成磨削主轴和真空吸盘台面碰撞，使磨削主轴上的金刚石砂轮和真空吸盘台面上的硅片损坏，更严重的造成磨削主轴和真空吸盘台面都会损伤。

每次磨削完成后金刚石砂轮都有损耗，会造成金刚石砂轮下缘相对真空吸盘台面的距离发生改变(根据实际磨削量和磨削材料的不同，砂轮的损耗量不同，正常一般为10um左右)。如果可以正常完整地完成磨削动作，设备可以通过了解金刚石砂轮的损耗量来补正金刚石砂轮相对真空吸盘台面的坐标，每次磨削主轴回待机位置时金刚石砂轮下缘距离真空吸盘台面的距离都是20mm。但是如果发生以下事项就会出现无法补正金刚石砂轮相对真空吸盘台面的坐标值：1、磨削过程出现机台报警、故障造成磨削动作未完成，这个时候就不能知道砂轮的损耗，无法补正磨削主轴的坐标；2、金刚石砂轮出现粘结，无法正常磨削产品，这个时候需要用砂轮修整器对金刚石砂轮进行修整(把材质是碳化硅的砂轮修整器放在真空吸盘台面上，金刚石砂轮和碳化硅修整器互相磨削，对金刚石砂轮表面进行修整)，比如这个时候只知道磨削主轴下降了200um(金刚石砂轮和修整器一共损耗200um)，无法清楚地了解金刚石砂轮具体的损耗，无法补正磨削主轴的坐标；3、更换新的金刚石砂轮后，无法准确地确认新砂轮下缘距离真空吸盘台面的坐标值。

解决上述问题的现有方案是通过手动方式：在真空吸盘台面上放置测量用标准块规(一般为1mm)，再把砂轮轴下降接触到标准块规，这个时候以真空吸盘台面上表面认作Z坐标为0，砂轮下端面的坐标就是标准块规的厚度值，也就是1000um。但是现有方案操作比较麻烦，很花时间，其次对操作员的技能水平要求较高。

实用新型内容

本实用新型为了解决现有技术中的缺陷，提供了一种磨削主轴坐标测量机构。