[实用新型]内匹配电路及功率放大器

说明书

本实用新型实施例公开了一种内匹配电路及功率放大器，内匹配电路用于与GaN功率管连接，内匹配电路包括内匹配电容、第一电感、第二电感及电阻，内匹配电容包括第一匹配电容；第一电感通过第一匹配电容与第二电感连接，第一电感、第二电感及第一匹配电容构成谐振电路，第二电感用于与GaN功率管连接，谐振电路用于对GaN功率管进行超宽带匹配；电阻与第一匹配电容并联构成稳定电路，稳定电路用于避免GaN功率管发生自激，内匹配电容接地端接地。本申请的内匹配电路提高了GaN功率管的稳定性，并实现了对GaN功率管的超宽带匹配。谐振电路与稳定电路共用内匹配电容，提高了电容器件的利用率，实现了内匹配电路的小型化。

技术领域

本实用新型涉及电子器件领域，尤其涉及一种内匹配电路及功率放大器。

背景技术

无线通信中，GaN(Gallium Nitrogen，氮化镓)功率管用于将输入信号放大至预定功率，并将放大的信号输出至负载设备，以提供能够驱动负载设备的输出功率。GaN HEMT(Gallium Nitrogen High Electron Mobility Transistor，氮化镓高电子迁移率晶体管)是一种新型GaN功率管，具有工作频率高、功率密度高及击穿电压高的优点。

GaN HEMT的性能受内匹配电路影响，内匹配电路能够有效减少GaN HEMT的功放调试。然而，现有的内匹配电路构成的匹配网络，都是基于窄带网络设计，需要根据功率放大器的频段需求，做重复的内匹配电路设计。同时，内匹配电路缺乏电路稳定性设计，功率放大器内部容易出现自激现象。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种内匹配电路及功率放大器，以解决GaN功率管无法提供超宽带功率输出的问题。

本实用新型提供如下技术方案：

第一方面，提供了一种内匹配电路，用于与GaN功率管连接，所述内匹配电路包括内匹配电容、第一电感、第二电感及电阻，所述内匹配电容包括第一匹配电容；

所述第一电感通过所述第一匹配电容与所述第二电感连接，所述第一电感、第二电感及第一匹配电容构成谐振电路，所述第二电感用于与所述GaN功率管连接，所述谐振电路用于对所述GaN功率管进行超宽带匹配；

所述电阻与所述第一匹配电容并联构成稳定电路，所述稳定电路用于避免所述GaN功率管发生自激，所述内匹配电容接地端接地。

结合第一方面，在第一种可能的实现方式中，所述第一匹配电容包括第一电容及第二电容；

所述第一电感依次通过所述第一电容、所述第二电容与所述第二电感连接；

所述第一电感与所述第一电容连接，所述第一电感与所述第一电容构成第一谐振器；

所述第二电感与所述第二电容连接，所述第二电感与所述第二电容构成第二谐振器；

所述第一谐振器及所述第二谐振器用于产生谐振频率。

结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第二可能的方式中，所述电阻的一端连接至所述第一电容与第一电感之间的第一节点，所述电阻的另一端连接至所述第二电容与第二电感之间的第二节点，所述第一电容、所述第二电容及所述电阻构成稳定电路。

结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第三可能的方式中，所述内匹配电容包括第二匹配电容，所述第二匹配电容的一端接地，所述第二匹配电容的另一端连接至所述第一电容、所述第二电容之间的第三节点。

结合第一方面，在第四种可能的实现方式中，所述内匹配电容包括第一电极层、第二电极层及金属层，所述第一电极层、所述第二电极层设置于所述金属层的一侧，所述第一电极层、所述第二电极层及所述金属层构成第一匹配电容，所述第一电极层与所述金属层构成第一电容，所述第二电极层与所述金属层构成第二电容；