[实用新型]内匹配电路及功率放大器

权利要求书

1.一种内匹配电路，其特征在于，用于与GaN功率管连接，所述内匹配电路包括内匹配电容、第一电感、第二电感及电阻，所述内匹配电容包括第一匹配电容；

所述第一电感通过所述第一匹配电容与所述第二电感连接，所述第一电感、第二电感及第一匹配电容构成谐振电路，所述第二电感用于与所述GaN功率管连接，所述谐振电路用于对所述GaN功率管进行超宽带匹配；

所述电阻与所述第一匹配电容并联构成稳定电路，所述稳定电路用于避免所述GaN功率管发生自激，所述内匹配电容接地端接地。

2.根据权利要求1所述的内匹配电路，其特征在于，所述第一匹配电容包括第一电容及第二电容；

所述第一电感依次通过所述第一电容、所述第二电容与所述第二电感连接；

所述第一电感与所述第一电容连接，所述第一电感与所述第一电容构成第一谐振器；

所述第二电感与所述第二电容连接，所述第二电感与所述第二电容构成第二谐振器；

所述第一谐振器及所述第二谐振器用于产生谐振频率。

3.根据权利要求2所述的内匹配电路，其特征在于，所述电阻的一端连接至所述第一电容与第一电感之间的第一节点，所述电阻的另一端连接至所述第二电容与第二电感之间的第二节点，所述第一电容、所述第二电容及所述电阻构成稳定电路。

4.根据权利要求2所述的内匹配电路，其特征在于，所述内匹配电容包括第二匹配电容，所述第二匹配电容的一端接地，所述第二匹配电容的另一端连接至所述第一电容、所述第二电容之间的第三节点。

5.根据权利要求1所述的内匹配电路，其特征在于，所述内匹配电容包括第一电极层、第二电极层及金属层，所述第一电极层、所述第二电极层设置于所述金属层的一侧，所述第一电极层、所述第二电极层及所述金属层构成第一匹配电容，所述第一电极层与所述金属层构成第一电容，所述第二电极层与所述金属层构成第二电容；

所述电阻设置于所述第一电极层、所述第二电极层之间，所述第一电极层与所述第一电感连接，所述第二电极层与所述第二电感连接，所述金属层接地。

6.根据权利要求5所述的内匹配电路，其特征在于，所述内匹配电容还包括第一填充介质，所述第一填充介质设置于所述第一电极层与所述金属层之间，且所述第一填充介质还设置于所述第二电极层与所述金属层之间。

7.根据权利要求5所述的内匹配电路，其特征在于，所述内匹配电容还包括接地层，所述接地层与所述金属层构成第二匹配电容；

所述接地层设置于所述金属层的另一侧，所述金属层通过所述接地层接地。

8.根据权利要求7所述的内匹配电路，其特征在于，所述内匹配电容还包括第二填充介质，所述第二填充介质设置于所述接地层与所述金属层之间。

9.根据权利要求7所述的内匹配电路，其特征在于，所述内匹配电容还包括外壳，所述第一电极层、所述第二电极层、所述金属层及所述接地层均设置于所述外壳内。

10.一种功率放大器，其特征在于，包括输入端、输出端、GaN功率管及如权利要求1至9中任意一项所述的内匹配电路，所述输入端依次通过所述内匹配电路、所述GaN功率管连接所述输出端。