[实用新型]一种太阳能电池及一种光伏组件有效

专利信息
申请号: 202123027490.9 申请日: 2021-12-03
公开(公告)号: CN217306521U 公开(公告)日: 2022-08-26
发明(设计)人: 王钊;杨洁;郑霈霆 申请(专利权)人: 晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/048
代理公司: 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 代理人: 成丽杰
地址: 334100 江西*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 组件
【说明书】:

本申请实施例提供一种太阳能电池及一种光伏组件,其中太阳能电池包括:基底,基底具有相对的正面及背面;正面钝化层,正面钝化层位于基底的正面;钝化接触结构,钝化接触结构贯穿正面钝化层的部分区域且与基底的正面形成接触;第一透明导电层,第一透明导电层覆盖正面钝化层表面及钝化接触结构表面;正面电极,正面电极位于第一透明导电层的表面,且与钝化接触结构相正对;背面钝化层,背面钝化层位于基底的背面;第二透明导电层,第二透明导电层位于背面钝化层远离基底的表面;背面电极,背面电极位于第二透明导电层的表面,本申请实施例至少有利于提高太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本申请实施例涉及光伏领域,特别涉及一种太阳能电池及一种光伏组件。

背景技术

随着能源紧缺的形势不断加剧,可再生能源的开发与利用迫在眉睫。在众多可再生能源之中,太阳能具有无枯竭危险、安全可靠、无噪声、无污染排放及应用不受资源分布地域的限制等突出优势。

太阳能电池用于将太阳能转化为电能,太阳能电池通常会经过硅片的清洗、制绒、热扩散、去磷硅玻璃、刻蚀去边、PECVD镀减反射膜、丝网印刷电极和烧结等步骤形成。

然而目前的太阳能电池存在光电转换效率较低的问题。

实用新型内容

本申请实施例提供一种太阳能电池及一种光伏组件,有利于提高太能电池的光电转换效率。

根据本申请一些实施例,本申请实施例一方面提供一种太阳能电池,包括:基底,所述基底具有相对的正面及背面;正面钝化层,所述正面钝化层位于所述基底的所述正面;钝化接触结构,所述钝化接触结构贯穿所述正面钝化层的部分区域且与所述基底的所述正面形成接触;第一透明导电层,所述第一透明导电层覆盖所述正面钝化层表面及所述钝化接触结构表面;正面电极,所述正面电极位于所述第一透明导电层的表面,且与所述钝化接触结构相正对;背面钝化层,所述背面钝化层位于所述基底的所述背面;第二透明导电层,所述第二透明导电层位于所述背面钝化层远离所述基底的表面;背面电极,所述背面电极位于所述第二透明导电层的表面。

另外,所述正面钝化层包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氧化铝层中的至少一种。

另外,在垂直于所述基底的所述正面的方向上,所述正面钝化层包括氧化铝层和氮化硅层,其中,所述氧化铝层的厚度为2-10nm,所述氮化硅层的厚度为20-150nm。

另外,所述第一透明导电层以及所述第二透明导电层均为氧化铟锡层、掺钨氧化铟层、掺钛氧化铟层或掺氢氧化铟层中的一种。

另外,所述第一透明导电层以及所述第二透明导电层的厚度为1nm~20nm。

另外,所述钝化接触结构的厚度大于所述正面钝化层的厚度。

另外,所述钝化接触结构包括:第一氧化层,所述第一氧化层位于所述基底的部分所述正面;第一掺杂多晶硅层,所述第一掺杂多晶硅层位于所述第一氧化层远离所述基底的表面。

另外,所述背面钝化层包括:第二氧化层,所述第二氧化层位于所述基底的所述背面;第二掺杂多晶硅层,所述第二掺杂多晶硅层位于所述第二氧化层远离所述基底的表面。

另外,所述第一掺杂多晶硅层的掺杂类型与所述第二掺杂多晶硅层的掺杂类型相反。

根据本申请一些实施例,本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件,包括:电池串,所述电池串由多个上述太阳能电池连接而成;封装层,所述封装层用于覆盖所述电池串的表面;盖板,所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。

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