[实用新型]一种太阳能电池及一种光伏组件

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有相对的正面及背面；

正面钝化层，所述正面钝化层位于所述基底的所述正面；

钝化接触结构，所述钝化接触结构贯穿所述正面钝化层的部分区域且与所述基底的所述正面形成接触；

第一透明导电层，所述第一透明导电层覆盖所述正面钝化层表面及所述钝化接触结构表面；

正面电极，所述正面电极位于所述第一透明导电层的表面，且与所述钝化接触结构相正对；

背面钝化层，所述背面钝化层位于所述基底的所述背面；

第二透明导电层，所述第二透明导电层位于所述背面钝化层远离所述基底的表面；

背面电极，所述背面电极位于所述第二透明导电层的表面。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述正面钝化层包括氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氧化铝层中的至少一层。

3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在垂直于所述基底的所述正面的方向上，所述正面钝化层包括氧化铝层和氮化硅层，其中，所述氧化铝层的厚度为2-10nm，所述氮化硅层的厚度为20-150nm。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层以及所述第二透明导电层均为氧化铟锡层、掺钨氧化铟层、掺钛氧化铟层或掺氢氧化铟层中的一种。

5.如权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电层以及所述第二透明导电层的厚度为1nm～20nm。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化接触结构的厚度大于所述正面钝化层的厚度。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化接触结构包括：

第一氧化层，所述第一氧化层位于所述基底的部分所述正面；

第一掺杂多晶硅层，所述第一掺杂多晶硅层位于所述第一氧化层远离所述基底的表面。

8.如权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层包括：

第二氧化层，所述第二氧化层位于所述基底的所述背面；

第二掺杂多晶硅层，所述第二掺杂多晶硅层位于所述第二氧化层远离所述基底的表面。

9.如权利要求8所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂多晶硅层的掺杂类型与所述第二掺杂多晶硅层的掺杂类型相反。

10.一种光伏组件，其特征在于，包括：

电池串，所述电池串由多个如权利要求1～9任一项所述太阳能电池连接而成；

封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；

盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。