[实用新型]一种晶圆成膜的固定装置

说明书

本实用新型提供一种晶圆成膜的固定装置，所述固定装置至少包括：托盘，设有至少一凸起；压环，顶部设有顶部凹槽，以承载所述晶圆；其中，所述压环套设于所述托盘外侧，所述顶部凹槽的内壁和所述凸起与所述晶圆相接触。本实用新型所提供的晶圆成膜的固定装置，可以改善外延后晶圆的厚度、浓度不均匀的问题，以及碳化硅沉积层集中在一个区域而导致卡片和掉落物增加的问题。

技术领域

本实用新型属于半导体设备技术领域，特别是涉及一种晶圆成膜的固定装置。

背景技术

化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)外延系统由于温度低、易控制、薄膜均匀性好，已成为制备碳化硅(SiC)外延薄膜的主要方法。CVD过程中，SiC晶圆被放在一种晶圆成膜固定装置上，然后将晶圆成膜固定装置放进反应腔中，在高温下，各种源气和载气的混合气体流经晶圆及固定装置表面，反应产物在晶圆表面不断沉积生长。当晶圆进行外延生长时，反应物也会不断沉积在固定装置表面，随着生长炉数的增加，沉积厚度越来越高，会降低SiC外延片的质量，需要不断的进行工艺参数调整，影响生产的连续性。并且，沉积物越来越多，会限制晶圆的活动范围造成卡片现象的出现，导致晶圆碎裂。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆成膜的固定装置，解决可能造成晶圆碎裂的问题，可以有效改善外延后晶圆的厚度、浓度的均匀性，还可以防止碳化硅沉积层集中在一个区域而导致卡片和掉落物增加。

为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：

本实用新型提供一种晶圆成膜的固定装置，至少包括：

托盘，设有至少一凸起；

压环，顶部设有顶部凹槽，以承载所述晶圆；

其中，所述压环套设于所述托盘外侧，所述顶部凹槽的内壁和所述凸起与所述晶圆相接触。

在本实用新型的一个实施例中，所述托盘为圆柱状，所述压环为圆形。

在本实用新型的一个实施例中，所述压环底部还开设一底部凹槽，所述底部凹槽为圆形，所述底部凹槽的内径大于所述托盘的外径，所述压环通过所述底部凹槽套设于所述托盘上。

在本实用新型的一个实施例中，所述底部凹槽的深度小于或等于所述托盘的高度，所述托盘对所述压环及所述晶圆有一个支撑的作用。

在本实用新型的一个实施例中，所述压环顶部还开设一顶部凹槽，所述顶部凹槽为圆形，所述顶部凹槽的深度大于或等于晶圆的厚度，所述顶部凹槽开设一个缺口，所述缺口与所述凸起的形状相匹配。

在本实用新型的一个实施例中，所述凸起为柱状，所述凸起的外侧与所述压环的内壁相贴合，所述凸起的内侧与所述晶圆的平边部分相贴合，以固定晶圆。

本实用新型通过在底部托盘上的凸起与顶部压环之间设计一定余量，让气流可以在整个压环内均匀分布，可以有效改善碳化硅外延片的质量，还可以降低因碳化硅沉积层集中在一个区域而导致卡片和晶圆破裂的问题。

当然，实施本实用新型的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。不仅如此，本方案中的一种设备，并非仅仅是单个孤立的装置，也可以是多个装置的组合。

凡是将环分为两部分、在托盘上设置凸起且具有固定晶圆功能的固定装置，凡是以此类构造、特征及原理等效变化均应包含本属于本方案的范围。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1显示为一种晶圆成膜的固定装置的结构示意图。