[实用新型]半导体器件结构

说明书

本实用新型涉及一种半导体器件结构。该垂直功率金属氧化物半导体场效应晶体管包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层；栅极结构；第二导电类型的阱区；第一导电类型的源极区；第一肖特基接触层，位于栅极结构远离第二导电类型的阱区的一侧，且位于第一导电类型的外延层远离第一导电类型的衬底的表面或位于第一导电类型的外延层内；源极金属层以及漏极金属层。该半导体器件结构具有优异的效率和稳定性，同时，原料成本低，制备工艺简便。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别是涉及半导体器件结构。

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种重要的半导体器件，被广泛使用在模拟电路与数字电路中，为了使金属氧化物半导体场效应晶体管获得更高的效率和更好的稳定性，通常在MOSFET的源极与漏极之间并联一肖特基二极管。

传统的并联方法有三种，分别为：(1)将肖特基二极管与金属氧化物半导体场效应晶体管并联安装在电路板上；(2)将肖特基芯片与金属氧化物半导体场效应晶体管芯片并联封装在同一半导体器件内，依靠打线实现并联；(3)将金属氧化物半导体场效应晶体管与肖特基二极管设计在同一芯片的不同分区中，通过打线实现并联。然而，以上传统的并联方法，肖特基二极管均会占用大量的硅表面面积，导致原料成本大幅增加，并且集成工艺复杂。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种半导体器件结构，该半导体器件结构具有优异的效率和稳定性，同时，原料成本低，制备工艺简便。

本发明提供了一种半导体器件结构，包括：

第一导电类型的衬底；

第一导电类型的外延层，位于所述第一导电类型的衬底的表面；

栅极结构，位于所述第一导电类型的外延层远离所述第一导电类型的衬底的表面；

第二导电类型的阱区，位于所述第一导电类型的外延层内，且自所述栅极结构的一侧延伸至所述栅极结构的下方；所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；

第一导电类型的源极区，位于所述第二导电类型的阱区内；

第一肖特基接触层，位于所述栅极结构远离所述第二导电类型的阱区的一侧，且位于所述第一导电类型的外延层远离所述第一导电类型的衬底的表面或位于所述第一导电类型的外延层内；

源极金属层，与所述第一导电类型的源极区、所述第二导电类型的阱区及所述第一肖特基接触层相接触；以及

漏极金属层，覆设于所述第一导电类型的衬底远离所述第一导电类型的外延层的表面。

在一实施方式中，所述第一肖特基接触层包括第一金属层，所述第一金属层与所述第一导电类型的外延层形成所述第一肖特基接触层。

在一实施方式中，所述半导体器件结构中还包括有第二肖特基接触层，所述第二肖特基接触层位于所述栅极结构远离所述第二导电类型的阱区的一侧，且位于所述第一导电类型的外延层内。

在一实施方式中，所述第二肖特基接触层包括第二金属层，所述第二金属层与所述第一导电类型的外延层形成所述第二肖特基接触层。

在一实施方式中，所述第二肖特基接触层的中轴线与所述第一肖特基接触层的中轴线重合。

在一实施方式中，所述栅极结构包括层叠设置的栅氧化层和多晶硅层，所述栅氧化层位于所述第一导电类型的外延层远离所述第一导电类型的衬底的表面，所述多晶硅层位于所述栅氧化层远离所述第一导电类型的外延层的表面。

在一实施方式中，所述半导体器件结构还包括：

绝缘层，位于所述栅极结构远离所述第一导电类型的外延层的表面；以及