[实用新型]LED芯片

权利要求书

1.LED芯片，其特征在于，包括：衬底、具有PN台阶的外延层、电流阻挡层、电流扩展层、第一电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、支撑层、第三电极层、第三绝缘层；

其中，所述支撑层设置在所述第二绝缘层和第三电极层之间；

所述第一电极层包括至少一个第一P型电极和至少一个第一N型电极；

所述第二电极层包括至少一个第二P型电极和至少一个第二N型电极；

所述第三电极层包括至少一个P型焊盘和至少一个N型焊盘。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述支撑层不与任意一电极层电性连接，包括P区支撑层、N区支撑层；

所述P区支撑层覆盖所述第二P型电极的区域；所述N区支撑层覆盖所述第二N型电极的区域。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述支撑层的厚度≤2μm。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述支撑层为金属层或金属氧化物层或者DBR反射层。

5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，设置有贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的第三通孔和第四通孔；

所述P型焊盘和所述第二P型电极通过第三通孔电性连接，所述N型焊盘和所述第二N型电极通过第四通孔电性连接；

其中，所述支撑层的侧面距离所述第三通孔和/或所述第四通孔的距离≥5μm。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述支撑层的面积占所述LED芯片的面积的50％～80％。

7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第三电极层的面积占所述LED芯片的面积的30％～55％。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述第三电极层的面积小于所述支撑层的面积。

9.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二P型电极和所述第二N型电极之间具有一隔离槽，所隔离槽的宽度≥15μm；

和/或；

所述P型焊盘和所述N型焊盘之间的距离≥50μm。

10.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第三电极层的包括Cr、Ni、Ti、Pt和Au中的金属单层、或者几种金属和/或合金的复合层；

或者；所述第三电极层为包括Sn成分的Bump电极。